[发明专利]具有充电的多通道脉冲电流发生器

权利要求书

1.一种用于驱动具有唯一的正极端子和共享的负极端子的多个负载的多通道电流脉冲发生器，包括：

脉冲控制晶体管，用于基于负载驱动器控制信号来允许或阻断通过所述多个负载的电流脉冲，并且所述脉冲控制晶体管具有连接至所述共享的负极端子的漏极端子、连接至接地的源极端子、以及用于接收所述负载驱动器控制信号的栅极端子；以及

对于所述多个负载中的每个负载：

负载电容器，其被配置为由充电电路充电并通过向相应负载提供电流脉冲来放电；以及

充电控制晶体管，用于基于充电控制信号允许或阻断从所述充电电路到所述负载电容器的充电电流。

2.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述脉冲控制晶体管包括氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。

3.根据权利要求2所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述脉冲控制晶体管包括增强型GaN FET。

4.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电电路包括电阻式充电电路。

5.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电电路包括升压充电电路，所述升压充电电路包括电感器和二极管。

6.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，对于所述多个负载中的每个负载，所述多通道电流脉冲发生器包括：

唯一的充电电路，用于生成到相应负载电容器的充电电流。

7.根据权利要求6所述的多通道电流脉冲发生器，其中，用于所述多个负载的所述唯一的充电电路被配置为根据所述相应负载生成不同的充电电流。

8.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管被选择为承受通过所述相应负载的电流脉冲。

9.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述脉冲控制晶体管被选择为承受通过所述多个负载的电流脉冲。

10.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管包括GaNFET。

11.根据权利要求10所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管包括增强型GaN FET。

12.根据权利要求1所述的多通道电流脉冲发生器，其中，同时被驱动的负载的最大数量M小于所述多个负载，并且其中所述多通道电流脉冲发生器包括用于生成M个充电电流的M个充电电路。

13.根据权利要求12所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述M个充电电路中的至少一个充电电路包括电阻式充电电路。

14.根据权利要求12所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述M个充电电路中的至少一个充电电路包括升压充电电路。

15.根据权利要求12所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述脉冲控制晶体管被选择为承受通过M个负载的M个电流脉冲。

16.根据权利要求12所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管包括GaN FET，并且其中对于所述多个负载中的每个负载，所述多通道电流脉冲发生器包括：

自举电容器，用于向所述充电控制晶体管的所述栅极端子提供附加电压；以及

自举控制晶体管，用于基于自举控制信号来允许或阻断用于所述自举电容器的自举充电电流，

其中，所述自举控制晶体管和所述充电控制晶体管不同时导通。

17.根据权利要求16所述的多通道电流脉冲发生器，其中，所述充电控制晶体管包括增强型GaN FET。