[发明专利]氧化镓基板研磨用组合物在审
| 申请号： | 201980063812.1 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112771648A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 平子佐知子;野口直人 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09G1/02;C09K3/14;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 镓基板 研磨 组合 | ||
1.一种研磨用组合物，其是用于氧化镓基板的研磨的研磨用组合物；其包含磨粒与水。
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒包含选自由氧化硅及氧化铝组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的平均一次粒径为5nm以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的平均一次粒径为1000nm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的平均二次粒径为10nm以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的平均二次粒径为1500nm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的研磨用组合物，其还包含酸。
8.根据权利要求7所述的研磨用组合物，其中，所述酸包含选自由硝酸、盐酸、氯酸及溴酸组成的组中的至少一种。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的研磨用组合物，其pH为4.0以上且不足12.0。
10.根据权利要求7所述的研磨用组合物，其中，所述酸包含磷酸。
11.根据权利要求10所述的研磨用组合物，其pH为0.5以上且不足8。
12.一种氧化镓基板的研磨方法，其包括：将权利要求1～11中任一项所述的研磨用组合物供给于研磨对象基板并对该基板进行研磨。
13.一种氧化镓基板的制造方法，其包括：将权利要求1～12中任一项所述的研磨用组合物供给于研磨对象基板并对该基板进行研磨的研磨工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
