[发明专利]放射疗法系统中的成像和治疗X射线的时域交织

权利要求书

1.一种放射治疗系统，包括：

X射线成像仪；

治疗递送X射线源，被配置为向靶标体积引导治疗X射线；

成像X射线源，被配置为将成像X射线引导穿过所述靶标体积，并且引导向所述X射线成像仪；以及

处理器，被配置为：

向所述靶标体积引导来自一系列治疗X射线脉冲的第一脉冲；

在将治疗X射线的所述第一脉冲引导至所述靶标体积之后、并且在第一成像间隔期间，引导第一成像X射线穿过所述靶标体积，在所述第一成像间隔中，没有治疗X射线被引导至所述靶标体积；以及

在引导所述第一成像X射线穿过所述靶标体积后，向所述靶标体积引导来自所述一系列治疗X射线脉冲的第二脉冲。

2.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其中所述控制器还被配置为：

确定来自所述一系列治疗X射线脉冲的第三脉冲被定时为在所述第一成像间隔期间被引导至所述靶标体积；并且

禁止治疗X射线的所述第三脉冲在所述第一成像间隔期间被引导穿过所述靶标体积。

3.根据权利要求2所述的放射治疗系统，其中所述控制器还被配置为：通过在所述第一成像间隔之后发生的时间间隔期间向所述靶标体积引导治疗X射线的所述第三脉冲，禁止治疗X射线的所述第三脉冲在所述第一成像间隔期间被引导穿过所述靶标体积。

4.根据权利要求2所述的放射治疗系统，其中所述第一成像间隔包括照射部分和读出部分。

5.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其中所述控制器还被配置为：

确定来自所述一系列治疗X射线脉冲的第四脉冲被定时为在所述第一成像间隔期间被引导至所述靶标体积；并且

禁止治疗X射线的所述第四脉冲在所述第一成像间隔期间被引导穿过所述靶标体积。

6.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其中：

所述第一成像间隔包括照射部分和读出部分；并且

所述控制器还被配置为：在所述照射部分期间引导所述第一成像X射线穿过所述靶标体积。

7.根据权利要求6所述的放射治疗系统，其中所述第一成像X射线包括成像X射线的单个脉冲，所述成像X射线的单个脉冲在所述第一成像间隔的所述照射部分的起始时间处开始，并且在所述第一成像间隔的所述照射部分的结束时间处结束。

8.根据权利要求6所述的放射治疗系统，其中所述控制器还被配置为：在所述第一成像间隔的所述读出部分期间，将所述电压跟随器通信地连接至数据线。

9.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其中所述控制器还被配置为：在将治疗X射线的所述第二脉冲引导至所述靶标体积之后，并且在第二成像间隔之前，向所述靶标体积引导治疗X射线的第三脉冲，第二成像X射线在所述第二成像间隔中被引导穿过所述靶标体积。

10.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其中：

所述X射线成像仪包括多个像素检测器元件；并且

每个像素检测器元件包括光电二极管和电压跟随器，所述电压跟随器被通信地耦合至所述光电二极管的输出。

11.根据权利要求10所述的放射治疗系统，其中所述像素包括以下中的一项：铟镓锌氧化物IGZO半导体材料、低温多晶硅半导体材料、以及多晶硅半导体材料。

12.根据权利要求10所述的放射治疗系统，还包括复位开关，所述复位开关被通信地耦合至所述光电二极管。

13.根据权利要求12所述的放射治疗系统，其中所述控制器还被配置为：在治疗间隔期间将所述光电二极管通信地耦合至参考电压。

14.根据权利要求13所述的放射治疗系统，其中所述治疗间隔在时间上不与所述成像间隔重叠。