[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，其包含：阳极；阴极；设置于该阳极和阴极间的有源层；以及设置于该有源层和所述阴极间的至少一层电子传输层，

所述至少一层电子传输层中的一层包含绝缘性材料和半导体材料，该一层的功函数Wf1和所述阴极的功函数Wf2满足下述式(1)，

Wf2－Wf1≥0.88eV (1)。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，

所述电子传输层的功函数Wf1和所述n型半导体材料的LUMO的能级LUMO满足下述式(2)，

|LUMO|－Wf1≥0.06eV (2)。

3.如权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，所述n型半导体材料为富勒烯衍生物。

4.如权利要求3所述的光电转换元件，其中，所述富勒烯衍生物为C60PCBM。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述绝缘性材料的功函数Wf3、所述电子传输层的功函数Wf1和所述半导体材料的功函数Wf4满足下述式(3)和下述式(4)，

Wf3＞Wf1 (3)

Wf3＜Wf4 (4)。

6.如权利要求1～5中任一项所述的光电转换元件，其中，所述半导体材料为选自由ZnO、AZO和GZO组成的组中的一种以上的氧化物半导体材料。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光电转换元件，其中，所述绝缘性材料为具有氨基或烷氧基的聚合物。

8.如权利要求7所述的光电转换元件，其中，所述绝缘性材料为乙氧基化聚亚乙基亚胺。

9.如权利要求1～8中任一项所述的光电转换元件，其中，所述电子传输层是通过对涂布膜进行干燥处理使其固化而得到的层，该涂布膜包含所述绝缘性材料、所述半导体材料和沸点为68℃以上的溶剂。

10.如权利要求9所述的光电转换元件，其中，所述溶剂包含pKa为15.5以上的醇溶剂。

11.如权利要求10所述的光电转换元件，其中，所述醇溶剂包含选自由乙醇、2-丙醇和3-戊醇组成的组中的一种以上的醇溶剂。

12.如权利要求1～11中任一项所述的光电转换元件，其中，所述光电转换元件为光检测元件。

13.一种图像传感器，其包含权利要求12所述的光电转换元件。

14.一种指纹识别装置，其包含权利要求12所述的光电转换元件。

15.一种光电转换元件的制造方法，其为权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其包括下述工序：

涂布包含所述绝缘性材料、所述半导体材料和沸点为68℃以上的溶剂的涂布液而形成涂布膜，通过对该涂布膜进行干燥处理使其固化，形成所述电子传输层。

16.如权利要求15所述的光电转换元件的制造方法，其中，所述半导体材料为选自由ZnO、AZO和GZO组成的组中的一种以上的氧化物半导体材料。

17.如权利要求15或16所述的光电转换元件的制造方法，其中，所述绝缘性材料为具有氨基或烷氧基的聚合物。

18.如权利要求17所述的光电转换元件的制造方法，其中，所述绝缘性材料为乙氧基化聚亚乙基亚胺。