[发明专利]金属有机骨架相和微晶形状控制在审
| 申请号： | 201980064020.6 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112771056A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | S·C·威斯顿;J·R·龙;J·M·法尔科夫斯基;K·科尔韦尔;R·托里斯 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会;埃克森美孚研究工程公司 |
| 主分类号： | C07F3/06 | 分类号： | C07F3/06;C07F15/02;C07F15/06;B01J20/22 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 有机 骨架 晶形 控制 | ||
1.一种合成包含多个阳离子和多个多面体有机连接基的结晶金属有机骨架的方法，其中，所述多个多面体有机连接基中的每个多面体有机连接基与所述多个阳离子中的两个或更多个阳离子连接，所述方法包括：
使所述多个多面体有机连接基与式MnXm的一种或多种化合物反应，其中，
M是阳离子Be、Mg、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Cd、Hf，
X是碱性阴离子，
n是正整数，
m是正整数，以及
当所述碱性阴离子的pKa值接近或低于阈值时，在存在缺乏金属配位官能度的缓冲剂的情况下进行所述反应，并且当所述碱性阴离子的所述pKa值等于或高于阈值时，可选地不在存在缺乏金属配位官能度的缓冲剂的情况下进行所述反应，从而控制所述金属有机骨架沿一个或多个晶向或其线性组合的晶体生长量，其中，所述阈值由所述多面体有机连接基的最低pka确定。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个多面体有机连接基中的每个多面体有机连接基具有下式：
其中，R1和R2各自独立地选自H、卤素、羟基、甲基或卤素取代的甲基。
3.根据权利要求2所述的方法，其中R1和R2各自为氢。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个多面体有机连接基中的每个多面体有机连接基具有下式：
其中，R1和R2各自独立地选自H、卤素、羟基、甲基或卤素取代的甲基。
5.根据权利要求4所述的方法，其中R1和R2各自为氢。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个多面体有机连接基中的每个多面体有机连接基具有下式：
其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自H、卤素、羟基、甲基和卤素取代的甲基。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自为氢。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个多面体有机连接基中的每个多面体有机连接基具有下式：
其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自H、卤素、羟基、甲基和卤素取代的甲基。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自为氢。
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