[发明专利]太阳能电池器件及太阳能电池模块在审
申请号: | 201980064024.4 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN112771680A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 寺下彻;中村淳一;小岛广平 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/043 | 分类号: | H01L31/043;H01L31/05 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姜越;金雪梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 器件 模块 | ||
1.一种太阳能电池器件,其具备电连接的多个太阳能电池单元,
所述太阳能电池器件的特征在于,
所述多个太阳能电池单元中的、相邻的太阳能电池单元中的一个太阳能电池单元的一端侧的一个主面侧的一部分重叠在所述相邻的太阳能电池单元中的另一个太阳能电池单元的与所述一端侧相反的另一端侧的、与所述一个主面侧相反的另一个主面侧的一部分之下,
所述多个太阳能电池单元各自是包含半导体基板、形成于所述半导体基板的所述另一个主面侧的一部分的p型半导体层以及形成于所述半导体基板的所述另一个主面侧的另一部分的n型半导体层的背面接合型的太阳能电池单元,
所述p型半导体层及所述n型半导体层各自包含多个支图案部与连接有所述多个支图案部的一端的干图案部,
所述p型半导体层的所述干图案部配置于所述太阳能电池单元的所述一端侧,
所述p型半导体层的所述干图案部的一部分或者全部配置于所述相邻的太阳能电池单元的一部分彼此重叠的重叠区域。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池器件,其特征在于,
所述p型半导体层的所述干图案部的宽度比所述支图案部的宽度宽。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池器件,其特征在于,
所述多个太阳能电池单元各自具备与所述p型半导体层对应的第一电极层及与所述n型半导体层对应的第二电极层,
所述第一电极层及第二电极层包含与所述支图案部对应的支图案电极部及与所述干图案部对应并连接有所述多个支图案电极部的一端的干图案电极部,
所述第一电极层的所述干图案电极部的一部分或者全部配置于所述重叠区域。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的太阳能电池器件,其特征在于,
包含导电性连接部件,所述导电性连接部件架设于所述相邻的太阳能电池单元之间,将所述相邻的太阳能电池单元彼此电连接。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池器件,其特征在于,
所述重叠区域包含在所述太阳能电池单元的所述一端侧的所述另一个主面侧不形成有所述第一电极层的所述干图案电极部的非电极区域,
在所述非电极区域,在所述太阳能电池单元的所述一端侧的所述另一个主面侧形成有所述p型半导体层。
6.根据权利要求3或5所述的太阳能电池器件,其特征在于,
所述重叠区域包含在所述太阳能电池单元的所述一端侧的所述另一个主面侧不形成有所述第一电极层的所述干图案电极部的非电极区域,
在所述非电极区域,在所述太阳能电池单元的所述一端侧的所述另一个主面侧形成有透明电极层。
7.根据权利要求3、5及6中任一项所述的太阳能电池器件,其特征在于,
所述重叠区域包含在所述太阳能电池单元的所述一端侧的所述另一个主面侧不形成有所述第一电极层的所述干图案电极部的非电极区域,
在所述非电极区域,在所述太阳能电池单元的所述一端侧的所述另一个主面侧形成有钝化层。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的太阳能电池器件,其特征在于,
所述太阳能电池单元为具有沿着与所述太阳能电池单元的排列方向交叉的方向的长边的长方形,
所述重叠区域的宽度为0.5mm以上。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的太阳能电池器件,其特征在于,
所述太阳能电池单元为具有沿着与所述太阳能电池单元的排列方向交叉的方向的长边的长方形,
在所述长边的两端部具有将所述半导体基板切割而得的切口部,
所述切口部配置于所述重叠区域。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的太阳能电池器件,其特征在于,
所述半导体基板是将规定的大小的大幅面半导体基板分割而得的其中一个,
所述大幅面半导体基板的缘部配置于所述太阳能电池单元的所述一端侧,且配置于所述重叠区域。
11.一种太阳能电池模块,其特征在于,
具备权利要求1~10中任一项所述的太阳能电池器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社钟化,未经株式会社钟化许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980064024.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池充电系统和电池充电方法
- 下一篇:具有垂直铰链的MEMS显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的