[发明专利]制造降低缺陷密度的超晶格结构的方法和器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在包括多个堆叠的层组的基板上形成超晶格，其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及限制在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；

其中形成基础半导体部分中的至少一个基础半导体部分包括过度生长所述至少一个基础半导体部分以及回蚀过度生长的至少一个基础半导体部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成每个基础半导体部分还包括：

形成第一组基础半导体单层；

执行热退火；以及

在热退火之后，在第一组基础半导体单层上形成第二组基础半导体单层。

3.如权利要求2所述的方法，其中第一组基础半导体单层的厚度在的范围内。

4.如权利要求2所述的方法，其中第二组基础半导体单层的厚度在的范围内。

5.如权利要求1所述的方法，其中回蚀过度生长的至少一个基础半导体部分包括：在所述至少一个基础半导体部分的2至之间蚀刻。

6.如权利要求1所述的方法，其中回蚀过度生长的至少一个基础半导体部分包括：在500至750℃范围内的温度下蚀刻过度生长的至少一个基础半导体部分。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：通过在第一温度下在所述基板上形成第一半导体盖部分，并且在大于或等于第一温度的第二温度下在第一半导体盖部分上形成第二半导体盖部分来在所述超晶格上形成半导体盖层。

8.如权利要求7所述的方法，其中第一半导体盖部分的厚度在4至的范围内。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述基础半导体单层包括硅单层。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述非半导体单层包含氧。

11.一种半导体器件，包括：

基板；以及

在所述基板上的包括多个堆叠的层组的超晶格，每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层，其中与相应的至少一个非半导体单层相邻的基础半导体部分中的至少一个基础半导体部分的上部具有小于或等于1×10⁵/cm²的缺陷密度。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述超晶格包括至少四组层。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中每个基础半导体部分的厚度在的范围内。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述超晶格还包括在所述多个层组上的半导体盖层。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述半导体盖层的厚度在70至90nm的范围内。

16.如权利要求11所述的半导体器件，还包括在所述基板上的在所述超晶格的相对端上的源极区和漏极区，以及覆盖所述超晶格的栅极。

17.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述基础半导体单层包括硅。

18.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述基础半导体单层包括锗。

19.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述非半导体单层包括氧。