[发明专利]挥发抑制部件及其制造方法

权利要求书

1.一种挥发抑制部件，其特征在于：包括金属系基材和叠层膜，所述叠层膜至少包括形成在该金属系基材的部分表面或整个表面上的第1层及形成在该第1层上的第2层；

所述第1层是所述金属系基材与所述第2层的密接层，而且是平均孔隙率小于10％的致密密接层；

所述第2层是所述第1层的保护层，而且是平均孔隙率为10％以上50％以下的多孔质保护层；

所述第1层的平均粒径大于所述第2层的平均粒径；

所述叠层膜是以锆、硅、铝、铪、钙、镁、铍、钍或钇中的任一元素作为主成分的氧化物或这些元素的复合氧化物。

2.根据权利要求1所述的挥发抑制部件，其特征在于：所述第1层的平均粒径大于2μm且为20μm以下，且所述第2层的平均粒径为0.5μm以上2μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的挥发抑制部件，其特征在于：所述第1层的平均厚度为50μm以上150μm以下，且所述第2层的平均厚度为30μm以上65μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的挥发抑制部件，其特征在于：所述金属系基材在表示基材厚度的垂直截面上具有锚孔，每个该锚孔的平均截面积为300μm²以上。

5.根据权利要求4所述的挥发抑制部件，其特征在于：在所述垂直截面上，所述第1层的构成粒子占所述锚孔的截面积的85％以上。

6.根据权利要求1或2所述的挥发抑制部件，其特征在于：所述第1层及所述第2层含有相同的氧化物作为主成分。

7.根据权利要求1或2所述的挥发抑制部件，其特征在于：所述金属系基材的材质是铂、铂合金、铱或铱合金。

8.一种挥发抑制部件的制造方法，其特征在于：其是制造根据权利要求1所述的挥发抑制部件的方法，该方法包括以下工序：

通过熔射法在所述金属系基材的表面形成所述第1层；

将在所述第1层的表面形成液层并对该液层进行干燥固化的操作进行至少1次，从而形成所述第2层。

9.根据权利要求8所述的挥发抑制部件的制造方法，其特征在于：在形成所述第2层的工序中，至少1次形成胶体溶液层作为所述液层。

10.根据权利要求8或9所述的挥发抑制部件的制造方法，其特征在于：通过刷涂或喷涂形成所述液层。