[发明专利]沉积金属碳化物膜的方法

权利要求书

1.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：

将基板表面的至少一部分暴露于第一卤化物前驱物，所述第一卤化物前驱物包含具有通式(I)的化合物

MX_yR_n (I)，

其中M为金属，X为选自Cl、Br、F或I的卤素，y为从1至6，R选自烷基、CO、环戊二烯基、脒盐、二氮杂二烯或酰胺酸盐，且n为从0至6；及

将所述基板表面的至少一部分暴露于铝反应物，所述铝反应物包含通式(II)的化合物

Al(CH₂AR¹R²R³)₃ (II)

其中A为C、Si或Ge，各R¹、R²及R³独立地为烷基或实质上不包含β-氢，

以于所述基板表面上沉积金属碳化物膜，所述金属碳化物膜实质上不含铝。

2.如权利要求1所述的方法，其中M选自以下一或多种：Sc、Y、La、Ac、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Tc、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sn或Si。

3.如权利要求2所述的方法，其中M为Hf。

4.如权利要求1所述的方法，其中X为Cl或Br。

5.如权利要求1所述的方法，其中R为C_1-6烷基。

6.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板表面暴露于所述第一卤化物前驱物及所述铝反应物的步骤依序发生。

7.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板表面暴露于所述第一卤化物前驱物及所述铝反应物的步骤同时发生。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述铝反应物选自以下一或多种：三新戊基铝(tris(neopentylidine)aluminum；NPA)或三(三甲基硅烷亚甲基)铝。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：重复所述方法以提供包含多于一种金属M的金属碳化物膜。

10.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：

将基板表面的至少一部分暴露于第一卤化物前驱物，所述第一卤化物前驱物包含具有通式(IA)的化合物

M¹X_yR_n (IA)，

其中M¹为金属，X为选自Cl、Br、F或I的卤素，y为从1至6，R选自烷基、CO、环戊二烯基、脒盐、二氮杂二烯或酰胺酸盐，且n为从0至6；

将所述基板表面的至少一部分暴露于第二卤化物前驱物，所述第二卤化物前驱物包含具有通式(IB)的化合物

M²X_yR_n (IB)，

其中M²为金属，X为选自Cl、Br、F或I的卤素，y为从1至6，R选自烷基、CO、环戊二烯基、脒盐、二氮杂二烯或酰胺酸盐，且n为从0至6；及

将所述基板表面的至少一部分暴露于铝反应物，所述铝反应物包含通式(II)的化合物

Al(CH₂AR¹R²R³)₃ (II)

其中A为C、Si或Ge，各R¹、R²及R³独立地为烷基或实质上不包含β-氢，

以于所述基板表面上沉积一混合的金属碳化物膜，所述混合的金属碳化物膜实质上不含铝。