[发明专利]发光装置和制造该发光装置的方法在审
申请号: | 201980065203.X | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN112789727A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 蔡锺哲;金玄俊;赵显敏;金璟陪;郑珉在 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/20;H01L27/12;H01L33/40;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘林果;张晓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 制造 方法 | ||
发光装置包括:基底;第一电极,布置在基底上,包括孔,并且具有沿着孔的外围形成的倾斜表面;第二电极,布置在基底上,并且分别位于第一电极的孔中;以及发光元件,位于第一电极与第二电极之间,并且电连接到第一电极和第二电极。
技术领域
本发明涉及一种包括发光二极管的装置和制造该装置的方法。
背景技术
发光二极管(LED)是利用化合物半导体的特性将电信号转换为诸如红外线、可见光等的光的形式的元件,LED用在家用电器、远程控制器、电子板、各种类型的自动化装置等中,LED的应用范围正在逐渐扩大。
此外,将LED应用于显示装置的尝试正在扩大。例如,这样的尝试正在扩大:将LED用作显示装置的背光,或者通过将LED小型化为能够显示图像的精细像素的单元来直接实现自发射显示装置。
因此,为了减小LED的尺寸并且确保足够的亮度以用在各种类型的装置中,需要其中可以集成有多个LED的结构。
发明内容
技术问题
壁形成在发光二极管周围,反射电极形成在壁上以将从发光二极管的侧表面发射的光向前反射,从而增大发光二极管的发光效率。
然而,由于形成壁、形成反射电极等,制造发光装置的工艺可能复杂。
因此,本发明涉及提供一种允许通过更简化的工艺制造的发光装置。
此外,本发明还涉及提供一种制造具有改善的发光效率的发光装置的方法。
本发明的范围不限于上述目的,通过下面的描述,本领域技术人员可以清楚地理解其他未提及的目的。
技术方案
根据本公开的实施例,发光装置包括:基底;第一电极,设置在基底上,包括孔,并且具有沿着孔的外围形成的倾斜表面;第二电极,设置在基底上,并且每个第二电极设置在第一电极的孔中的一个中;以及发光元件,设置在第一电极与第二电极之间,并且电连接到第一电极和第二电极。
发光装置还可以包括:晶体管,电连接到第一电极;以及电源线,电连接到第二电极。
电源线可以设置在基底下方,第二电极中的每个可以通过穿过基底以暴露电源线的通孔电连接到电源线。
第一电极可以包括第一金属结合层、设置在第一金属结合层上的金属导电层以及设置在金属导电层上的第二金属结合层,金属导电层可以具有比第一金属结合层的厚度大且比第二金属结合层的厚度大的厚度,倾斜表面可以形成在金属导电层上。
金属导电层可以包括反射材料,从发光元件发射的光可以被金属导电层反射。
由倾斜表面基于基底形成的倾斜角可以小于60度且大于20度。
金属导电层的内侧壁的第一锥角可以与金属导电层的外侧壁的第二锥角不同,金属导电层的内侧壁可以与第二电极相邻。
金属导电层的内侧壁可以通过与形成金属导电层的外侧壁的工艺不同的工艺形成。
发光装置还可以包括设置在第一电极上的第一像素壁,其中,第一像素壁可以包括与孔对应的堤孔。
发光装置还可以包括设置在第二电极中的每个上的第二像素壁。
第二电极中的每个第二电极可以包括中心部分、第一外围部分和第一连接部分,第一外围部分与中心部分间隔开、沿着中心部分的边缘延伸、并具有彼此间隔开的两个端部,第一连接部分被构造为将中心部分连接到第一外围部分,第一电极可以包括主体部分、第二外围部分和第二连接部分,主体部分包括孔,第二外围部分在中心部分与第一外围部分之间沿着中心部分的边缘延伸、并具有其间插置有第一连接部分的两个端部,第二连接部分与第一外围部分的端部交叉以将第二外围部分连接到主体部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的