[发明专利]电子电路及传感器系统在审
申请号: | 201980065393.5 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN112840566A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 中川树生;佐藤尧生;小田部晃 | 申请(专利权)人: | 日立安斯泰莫株式会社 |
主分类号: | H03K19/00 | 分类号: | H03K19/00;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H03K17/0814;H03K19/003;H01L27/06 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 曾贤伟;范胜杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子电路 传感器 系统 | ||
1.一种电子电路,其特征在于,
具有:
元件,其生成输出信号;
开关;以及
电压监视电路,其对施加于输出端子的电压进行监视,
所述电压监视电路构成为能够对比与所述元件连接的电源的电压高的电压进行检测,在所述输出端子的电压为设定得比所述电源的电压高的预定值以上时,控制所述开关以切断所述元件与所述输出端子的连接,
所述元件经由所述开关与所述输出端子连接。
2.根据权利要求1所述的电子电路,其特征在于,
生成所述输出信号的元件的耐压比构成所述开关的元件的耐压低。
3.根据权利要求2所述的电子电路,其特征在于,
生成所述输出信号的元件不与所述输出端子直接连接。
4.根据权利要求2所述的电子电路,其特征在于,
生成所述输出信号的元件具有第一元件和第二元件,
所述第一元件与所述电源连接,所述第二元件接地。
5.根据权利要求4所述的电子电路,其特征在于,
所述第一元件由PMOS晶体管构成,所述第二元件由NMOS晶体管构成。
6.根据权利要求5所述的电子电路,其特征在于,
所述第一元件具有与所述电源连接的背栅端子。
7.根据权利要求5所述的电子电路,其特征在于,
所述第一元件和所述第二元件中的至少一个是电流源,由电流镜电路构成。
8.根据权利要求5所述的电子电路,其特征在于,
所述电子电路还具有:开关控制电路,其控制所述开关,
所述开关具有高耐压NMOS晶体管,
所述高耐压NMOS晶体管与所述输出端子以及所述第一元件连接。
9.根据权利要求2所述的电子电路,其特征在于,
所述电子电路还具有:防逆流元件,其防止在对所述输出端子施加了比所述电源的电压高的电压时从所述输出端子向所述电源的电流流入。
10.根据权利要求9所述的电子电路,其特征在于,
所述开关具有第一高耐压PMOS晶体管和第一高耐压NMOS晶体管,
所述第一高耐压PMOS晶体管具有:背栅端子,其经由所述防逆流元件与所述电源连接。
11.根据权利要求10所述的电子电路,其特征在于,
所述防逆流元件具有栅极电压被所述电压监视电路控制的第二高耐压PMOS晶体管,
在所述输出端子的电压为设定得比所述电源的电压高的所述预定值以上时,所述电压监视电路进行控制使所述第二高耐压PMOS晶体管截止。
12.根据权利要求10所述的电子电路,其特征在于,
所述第一高耐压PMOS晶体管具有经由所述元件与所述电源连接的一个电极和与所述输出端子连接的另一个电极,
所述另一个电极与所述第一高耐压PMOS晶体管的栅极电极之间的耐压比所述第一个电极与所述栅极端子之间的耐压低。
13.根据权利要求2所述的电子电路,其特征在于,
所述电压监视电路具有二极管,
所述预定值基于不依赖于施加到所述输出端子的电压的、所述二极管的特性而设定。
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