[发明专利]从成角度的气体流辅助的等离子体的轴对称材料沉积在审
申请号: | 201980065896.2 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN113195785A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | J.肖尔兹 | 申请(专利权)人: | 玳萌珠宝商贸有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;H01J37/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贺紫秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 角度 气体 辅助 等离子体 轴对称 材料 沉积 | ||
1.一种沉积系统,其包括:
a)腔室;
b)设置在所述腔室中的平台,所述平台被配置为支撑基板;
c)联接至所述腔室的一个或多个微波引入窗口,所述一个或多个微波引入窗口被配置为将微波辐射引入所述腔室的内部以激发一种或多种源气体并且在所述平台附近产生等离子体;以及
d)一个或多个气体入口结构,所述一个或多个气体入口结构被配置为将一种或多种气体供应到所述腔室的内部,其中,所述一个或多个气体入口结构包括一个或多个成角度的气体入口,所述一个或多个成角度的气体入口被配置为以相对于所述平台的对称轴线成一角度将等离子体成形气体流引入所述腔室的内部,以与所述等离子体相互作用,以便有利于利用所述等离子体使材料轴对称沉积在所述基板的表面上。
2.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述一个或多个气体入口结构包括具有位于所述平台上方的多个成角度的气体入口的入口结构。
3.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述一个或多个气体入口结构包括气体入口结构,所述气体入口结构联接至所述腔室的顶部并且被配置为从所述平台上方的位置输送一种或多种源气体。
4.根据权利要求3所述的膜沉积系统,其中,所述一个或多个气体入口结构包括第一气体入口结构和第二气体入口结构,所述第一气体入口结构联接至所述腔室的底部,所述底部具有多个成角度的气体入口孔,所述多个成角度的气体入口孔被配置为以相对于所述平台成一角度将气体输送到所述腔室的内部,所述第二气体入口结构联接至所述腔室的顶部并且被配置为在所述平台上方输送所述一种或多种源气体。
5.根据权利要求4所述的膜沉积系统,其中,所述一个或多个成角度的气体入口围绕所述平台轴对称地定位。
6.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述一个或多个成角度的气体入口相对于所述平台切向地成角度并且相对于所述对称轴线竖直地成角度。
7.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述一个或多个成角度的气体入口相对于所述对称轴线径向地向内成角度。
8.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述一个或多个成角度的气体入口相对于所述平台切向地成角度并且相对于所述对称轴线竖直地且径向地向内成角度。
9.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述一个或更多个成角度的气体入口包括与所述平台的对称轴线同心的圆形对称成角度的气体入口。
10.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述圆形对称成角度的气体入口被内置到所述平台中。
11.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述成角度的气体入口成角度以将所述等离子体成形气体流输送到所述腔室,以引起所述等离子体的旋转。
12.根据权利要求1所述的膜沉积系统,其中,所述成角度的气体入口成角度以输送所述等离子体成形气体流,以使所述等离子体被限制到所述腔室的一部分。
13.根据权利要求12所述的文件沉积系统,其中,所述腔室的所述部分在所述平台上方。
14.根据权利要求12所述的膜沉积系统,其中,所述成角度的气体入口成角度以输送所述等离子体成形气体流,以使所述等离子体成形为锥形形状。
15.根据权利要求12所述的膜沉积系统,其中,成角度的气体入口成角度以输送所述等离子体成形气体流,以使所述等离子体成形为圆柱形形状。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的