[发明专利]一种多中介层互联的集成电路有效
| 申请号： | 201980065923.6 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112889149B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陶军磊;赵南;张晓东;王晨 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中介 层互联 集成电路 | ||
1.一种多中介层互联的集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：第一半导体中介层、第二半导体中介层、基板以及低损耗连接器；所述第一半导体中介层、所述第二半导体中介层和所述低损耗连接器设置于所述基板的同一侧；其中，
所述第一半导体中介层背对所述基板的一侧设置有至少一个第一裸片，所述第一半导体中介层中设置有第一互联电路；
所述第二半导体中介层背对所述基板的一侧设置有至少一个第二裸片，所述第二半导体中介层中设置有第二互联电路；
所述至少一个第一裸片中的其中一个第一裸片通过所述第一互联电路、所述低损耗连接器、所述第二互联电路与所述至少一个第二裸片中的其中一个第二裸片形成电连接，所述低损耗连接器包括基体、以及设置在所述基体一侧的互联层，所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片具体通过所述低损耗连接器中的互联层连接；所述互联层的走线宽度与所述第一互联电路和所述第二互联电路的走线宽度相匹配。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述低损耗连接器的最低线宽/线距等于0.4um/0.4um。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，所述基体为塑封材料。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述低损耗连接器的结构为有机介质和重布线层混合的结构。
5.根据权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，所述基体为硅基体。
6.根据权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，所述基体为玻璃基体。
7.根据权利要求1或2或4所述的集成电路，其特征在于，所述至少一个第一裸片为多个第一裸片，所述至少一个第二裸片为多个第二裸片，所述第一半导体中介层还设置有所述第一互联电路，所述第二半导体中介层还设置有所述第二互联电路，所述第一互联电路还用于形成每个第一裸片之间的电连接，所述第二互联电路还用于形成每个第二裸片之间的电连接。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述至少一个第一裸片和所述至少一个第二裸片均包括专用集成电路ASIC和高带宽内存HBM。
9.根据权利要求1或2或4或8所述的集成电路，其特征在于，所述第一半导体中介层和第二半导体中介层为硅中介层；或者，所述第一半导体中介层和第二半导体中介层的结构为有机介质和重布线层混合的结构。
10.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括印制电路板PCB，以及如权利要求1-9任一项所述的多中介层互联的集成电路，所述集成电路设置于所述PCB的一侧并与所述PCB形成电连接。
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