[发明专利]用于行锤击缓解的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统在审
申请号: | 201980066032.2 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN112840400A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | T·B·考尔斯;D·D·甘斯;李继云;N·J·迈尔;R·J·鲁尼 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/4096;G06F3/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 行锤击 缓解 方法 以及 采用 存储器 装置 系统 | ||
公开其中可为其中的活动(例如,超过预定阈值的激活)证明需要刷新管理操作的那些存储器部分按需求调度刷新管理操作的存储器装置和操作存储器装置的方法。在一个实施例中,一种设备包括存储器,其包含存储器方位;和电路系统,其被配置成确定与所述存储器方位处的激活数目对应的计数;响应于所述计数超过第一预定阈值,为所述存储器方位调度刷新管理操作;和响应于执行所述调度的刷新管理操作,使所述计数减小达与所述第一预定阈值对应的量。所述电路系统可被进一步配置成响应于确定所述计数已达到最大准许值,在所述计数减小之前不允许所述存储器方位处的另外激活。
本申请案主张2018年10月9日申请的美国临时申请案第62/743,381号的权益,所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。
本申请案含有与Dean D.Gans的标题为“用于行锤击缓解的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统(METHODS FOR ROW HAMMER MITIGATION AND MEMORY DEVICES ANDSYSTEMS EMPLOYING THE SAME)”的美国专利申请案相关的标的物。相关申请案转让给美光科技公司(Micron Technology,Inc.)并且识别为2019年8月2日申请的美国专利申请案第16/530,092号。其标的物以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及用于行锤击缓解的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统。
背景技术
存储器装置广泛地用于存储与如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置相关的信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。改进存储器装置通常可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度或以其它方式减少操作时延、提高可靠性、增加数据保持、降低电力消耗或降低制造成本等。
附图说明
图1是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器装置的简化框图。
图2是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器系统200的简化框图。
图3是说明根据本发明技术的实施例的操作存储器系统的方法的流程图。
图4是说明根据本发明技术的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。
具体实施方式
高数据可靠性、高速存储器存取和减小的芯片大小是半导体存储器所需的特征。例如DRAM的一些半导体存储器装置将信息存储为累积于单元电容器中的电荷,所述电荷可能容易泄漏,且因而需要周期性刷新操作以防止信息丢失。除了电荷泄漏之外,由例如行锤击的干扰机制引起的位错误可使信息丢失或降级。行锤击影响耦合到与所选字线相邻的未被选字线的存储器单元,所述所选字线在短时间内被重复驱动到作用电平。除非执行刷新操作以刷新存储器单元中的电荷,否则相邻字线上的活动可致使未被选字线的单元中的电荷变化,这给存储于其中的信息带来风险。
在一些存储器装置中,从例如以可操作方式耦合到存储器装置的主机或控制器的控制装置周期性地发出指示刷新操作的自动刷新(AREF)命令。以在一个刷新循环中必定刷新一次所有字线的频率从控制装置提供AREF命令。可根据存储器装置的操作温度(例如,较高温度通常证实更频繁的刷新操作)刷新循环的持续时间以防止电荷泄漏引起数据降级。由于通过设置在DRAM中的刷新计数器确定根据AREF命令的刷新地址,因此响应于AREF命令的刷新操作可能不会防止归因于行锤击效应引起的位错误。
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