[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201980066078.4 申请日: 2019-10-09
公开(公告)号: CN112805829A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 山口敦司;坂入宽之;大塚拓一 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/00;H01L25/18;H02M1/34
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金成哲;郑毅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具备:

第一端子和第二端子;

第一开关元件,其具有第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极;以及

第二开关元件,其具有第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极,

在所述第一端子和所述第二端子之间串联连接有所述第一开关元件和所述第二开关元件,

所述半导体装置的特征在于,

具备第一电容器,该第一电容器在所述第一端子和所述第二端子之间与所述第一开关元件和所述第二开关元件并联连接,

在第一方向上排列所述第一开关元件和所述第二开关元件,

所述第一电容器在与所述第一方向呈直角的第二方向视角下,与所述第一开关元件和所述第二开关元件的至少任一个重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一电容器在所述第二方向视角下,与所述第一开关元件和所述第二开关元件双方重叠。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一开关元件和所述第二开关元件呈以所述第二方向为厚度方向的扁平形状。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极在所述第二方向上配置于与所述第一电容器相反的一侧。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,

第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极在所述第二方向上配置于与所述第一电容器相反的一侧。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,具备:

第一导电部件,其与所述第一漏极电极和所述第一电容器导通;以及

第二导电部件,其与所述第二源极电极和所述第一电容器导通。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一导电部件具有:第一部,其与所述第一漏极电极导通接合;以及第二部,其在所述第二方向上相对于所述第一开关元件配置于与所述第一部相反的一侧,且与所述第一电容器导通接合。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,

所述第二导电部件具有:第一部,其与所述第二漏极电极导通接合;以及第二部,其在所述第二方向上相对于所述第二开关元件配置于与所述第二导电部件的所述第一部相反的一侧,且与所述第一电容器导通接合。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一导电部件具有第三部,该第三部在所述第一方向上相对于所述第一开关元件位于与所述第二开关元件相反的一侧,且连结所述第一导电部件的所述第一部与所述第一导电部件的所述第二部。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,

所述第二导电部件具有第三部,该第三部在所述第一方向上相对于所述第二开关元件位于与所述第一开关元件相反的一侧,且连结所述第二导电部件的所述第一部与所述第二导电部件的所述第二部。

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,

还具备第三导电部件,该第三导电部件与所述第一源极电极和所述第二漏极电极导通接合。

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,

所述第三导电部件在所述第一方向上位于所述第一导电部件的所述第一部与所述第二导电部件的所述第一部之间。

13.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,

还具备集成电路元件,该集成电路元件在与所述第一方向和所述第二方向呈直角的第三方向上相对于所述第一开关元件和所述第二开关元件配置于一侧。

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