[发明专利]氧化镁溅射靶

说明书

一种溅射靶，所述溅射靶包含氧化镁烧结体，其特征在于，所述氧化镁烧结体中的在一个晶粒内存在的针孔的数量为20个以上的晶粒的比例为50％以下。本发明的课题在于提供一种包含氧化镁烧结体并且在溅射时粉粒的产生少的溅射靶。

技术领域

本发明涉及适合于磁盘装置用磁记录介质、隧道磁阻(TMR)元件等电子器件中的氧化镁(MgO)层的形成的氧化镁溅射靶，特别涉及在溅射时粉粒的产生少的氧化镁溅射靶。

背景技术

随着磁盘的小型化、高记录密度化，进行了磁记录介质的研究和开发，并对磁性层、基底层等进行了各种改进。另外，在非易失性存储器的领域中，例如，自旋扭矩型磁阻存储器(MRAM)通过流过TMR元件的电流的经由隧道结流动的电子的自旋来控制磁化，由此与以往类型的MRAM相比，能够实现低功耗且小型化。

在将氧化镁(MgO)用于该TMR元件的隧道结部分时，显著地改善其特性，因此如何制作MgO隧道结成为关键。作为MgO膜的制作方法，存在使用镁(Mg)靶作为溅射靶并在成膜后使其氧化的方法和使用氧化镁(MgO)靶进行成膜的方法，一般认为后者的磁阻效应大，能够得到高特性。

一直以来，已知将MgO烧结体用作溅射靶。例如，在专利文献1中公开了适合于利用溅射法进行MgO保护膜的成膜的MgO靶。根据该文献，记载了能够应对1000/分钟以上的溅射成膜速度。但是，这样的现有产品存在以下问题：在溅射时产生大量粉粒，从而使产品的成品率大幅降低。

另外，在专利文献2中公开了使大量(111)面取向的MgO烧结体靶。根据该文献，记载了靶的机械性质和导热性良好。另外，在专利文献3中公开了平均晶粒尺寸为8μm以下、并且利用X射线衍射得到的峰强度比I(111)/I(200)大于等于8％且小于25％的氧化镁烧结体溅射靶，根据该文献，记载了能够制作具有优异的绝缘耐性和均质性的溅射膜。

可以通过对MgO粉末进行烧结来制作氧化镁烧结体，制作本身并不太困难，但是包含MgO烧结体的溅射靶有时特别容易产生粉粒。但是，对于在上述专利文献中公开的烧结体而言，存在不能充分减少粉粒的问题。特别是近年来，在作为TMR元件的主要部分的隧道结部分中，对容许的粉粒的要求越来越严格。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-130827号公报

专利文献2：日本特开2009-173502号公报

专利文献3：国际公开第2013/065564号

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的课题在于提供一种包含氧化镁烧结体并且在溅射时粉粒的产生少的溅射靶。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，本申请提供以下的发明。

1)一种溅射靶，所述溅射靶包含氧化镁烧结体，其特征在于，所述氧化镁烧结体中的在一个晶粒内存在的针孔的数量为20个以上的晶粒的比例为50％以下。

2)如上述1)所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的抗弯强度为150MPa以上。

3)如上述1)或2)所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的平均晶粒尺寸为30μm以上且400μm以下。

4)如上述1)～3)中任一项所述的溅射靶，其中，所述溅射靶的相对密度为99.7％以上。

发明效果

本发明的包含氧化镁烧结体的溅射靶具有能够抑制溅射时的粉粒的产生的优异效果。由此，例如在形成TMR元件的隧道势垒(绝缘层)时，具有以下优异效果：能够改善其器件特性，并且能够提高成品率。

附图说明