[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一氧化物；

所述第一氧化物上的第一导电体及第二导电体；

所述第一导电体上的第一绝缘体；

所述第二导电体上的第二绝缘体；

所述第一绝缘体及所述第二绝缘体上的第三绝缘体；

在所述第一氧化物上配置在所述第一导电体与所述第二导电体之间的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第四绝缘体；

所述第四绝缘体上的第三导电体；

接触于所述第三绝缘体的顶面、所述第二氧化物的顶面、所述第四绝缘体的顶面及所述第三导电体的顶面的第五绝缘体；

嵌入到形成在所述第一绝缘体、所述第三绝缘体及所述第五绝缘体中的开口中且与所述第一导电体接触的第四导电体；以及

嵌入到形成在所述第二绝缘体、所述第三绝缘体及所述第五绝缘体中的开口中且与所述第二导电体接触的第五导电体，

其中，所述第三绝缘体在与所述第四导电体的界面附近及与所述第五导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第三绝缘体的其他区域的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一导电体在与所述第四导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第一导电体的其他区域的区域，

并且所述第二导电体在与所述第五导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第二导电体的其他区域的区域。

3.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一导电体；

所述第一导电体上的第二绝缘体；

所述第二绝缘体上的第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二导电体及第三导电体；

所述第二导电体上的第三绝缘体；

所述第三导电体上的第四绝缘体；

所述第三绝缘体及所述第四绝缘体上的第五绝缘体；

在所述第一氧化物上配置在所述第二导电体与所述第三导电体之间的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第六绝缘体；

所述第六绝缘体上的第四导电体；

接触于所述第五绝缘体的顶面、所述第二氧化物的顶面、所述第六绝缘体的顶面及所述第四导电体的顶面的第七绝缘体；

接触于所述第七绝缘体的顶面及侧面、所述第五绝缘体的侧面、所述第二绝缘体的侧面及所述第一绝缘体的顶面的第八绝缘体；

嵌入到形成在所述第三绝缘体、所述第五绝缘体、所述第七绝缘体及所述第八绝缘体中的开口中且与所述第二导电体接触的第五导电体；以及

嵌入到形成在所述第四绝缘体、所述第五绝缘体、所述第七绝缘体及所述第八绝缘体中的开口中且与所述第三导电体接触的第六导电体，

其中，所述第五绝缘体在与所述第五导电体的界面附近、与所述第六导电体的界面附近及与所述第八绝缘体的界面附近具有其氮浓度高于所述第五绝缘体的其他区域的区域。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述第二导电体在与所述第五导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第二导电体的其他区域的区域，

并且所述第三导电体在与所述第六导电体的界面附近具有其氮浓度高于所述第三导电体的其他区域的区域。