[发明专利]MEMS气体传感器及MEMS气体传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201980066186.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112805557A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 木村哲平;铃木弘明;寺泽和雄 | 申请（专利权）人： | NISSHA株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 气体 传感器 制造 方法 | ||
1.一种MEMS气体传感器，具备：
绝缘体，具有腔体；
气敏材料，与所述腔体对应地设置；
第一保护膜和第二保护膜，设置于所述绝缘体，并以在俯视观察下重叠的方式配置；
加热器布线，用于加热所述气敏材料，并配置在所述第一保护膜与所述第二保护膜之间；以及
气体阻隔层，紧贴并覆盖所述加热器布线的两表面和侧面。
2.根据权利要求1所述的MEMS气体传感器，其中，
所述加热器布线的侧面的至少一部分在侧视观察下斜向延伸。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS气体传感器，其中，
所述第一保护膜和所述第二保护膜由SiO2构成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的MEMS气体传感器，其中，
所述加热器布线由NiCr构成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的MEMS气体传感器，其中，
所述气体阻隔层由金属氧化物构成。
6.根据权利要求5所述的MEMS气体传感器，其中，
所述气体阻隔层由Ta2O5构成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的MEMS气体传感器，其中，
所述加热器布线在与所述气敏材料对应的位置处在俯视观察下形成为环状。
8.一种制造MEMS气体传感器的方法，包括：
在具有腔体的绝缘体形成第一保护膜的步骤；
在所述第一保护膜上形成第一气体阻隔层的步骤；
将用于加热气敏材料的加热器布线形成在所述第一气体阻隔层上的步骤；
形成覆盖所述加热器布线的上表面及侧面的第二气体阻隔层的步骤；
形成第二保护膜，以将所述加热器布线夹在所述第二保护膜与所述第一保护膜之间的步骤；以及
与所述绝缘体的所述腔体对应地形成气敏材料的步骤。
9.根据权利要求8所述的制造MEMS气体传感器的方法，其中，
所述制造MEMS气体传感器的方法还包括将所述加热器布线的侧面的至少一部分加工为在侧视观察下斜向延伸的步骤。
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