[发明专利]磁记录层、磁畴壁移动元件和磁记录阵列

权利要求书

1.一种磁记录层，其特征在于：

在内部具有磁畴壁且含有稀有气体元素。

2.如权利要求1所述的磁记录层，其特征在于：

在与所述磁记录层延伸的第一方向交叉的切断面，所述磁记录层的中央区域与所述磁记录层的外周区域相比，稀有气体元素的浓度大。

3.如权利要求1或2所述的磁记录层，其特征在于：

平均稀有气体浓度为25atm％以下。

4.如权利要求1至3中任一项所述的磁记录层，其特征在于：

平均稀有气体浓度为0.14atm％以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的磁记录层，其特征在于：

包含：在结晶晶格内含有稀有气体元素的第一晶格；和在结晶晶格内不含有稀有气体元素的第二晶格，

所述第一晶格在内部分散。

6.一种磁畴壁移动元件，其特征在于，包括：

权利要求1至5中任一项所述的磁记录层；

第一磁化固定部，其将所述磁记录层的第一区域的磁化固定；和

第二磁化固定部，其将第二区域的磁化固定，该第二区域与所述第一区域夹着所述磁记录层的所述磁畴壁。

7.如权利要求6所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

所述第一磁化固定部和所述第二磁化固定部中的至少一者是与所述磁记录层连接且包含铁磁性体的导电层。

8.如权利要求7所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

所述导电层具有稀有气体元素，

所述磁记录层的稀有气体元素浓度大于所述导电层的稀有气体元素浓度。

9.如权利要求6至8中任一项所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

还具有层叠于所述磁记录层的非磁性层和铁磁性层，

所述非磁性层位于所述铁磁性层与所述磁记录层之间。

10.如权利要求9所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

所述铁磁性层具有稀有气体元素，

所述磁记录层的稀有气体元素浓度大于所述铁磁性层的稀有气体元素浓度。

11.一种磁记录阵列，其特征在于：

具有多个权利要求6至10中任一项所述的磁畴壁移动元件。