[发明专利]用于确定半导体样本的热施主浓度的方法

权利要求书

1.一种用于确定由半导体材料制成的测试样本的热施主浓度([TD]_test)的方法，包括以下步骤：

-提供(S11)由相同半导体材料制成且具有已知热施主浓度([TD]_ref)的基准样本；

-针对包含在0.65eV和0.8eV之间的至少一个光子能，用光致发光工具测量(S12)所述基准样本的光致发光信号，所述基准样本的光致发光信号在0.65eV至0.8eV的光子能范围之间具有强度峰值(P1)；

-根据所述基准样本的光致发光信号，确定(S13)在热施主浓度([TD])和表示强度峰值的参数之间的实验关系；

-针对包含在0.65eV和0.8eV之间的至少一个光子能，用光致发光工具测量(S14)所述测试样本的光致发光信号；

-根据所述测试样本的光致发光信号确定(S15)所述参数的特定值；以及

-通过使用所述实验关系，根据所述参数的特定值确定(S15)测试样本的热施主浓度([TD]_test)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述实验关系为线性的。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述参数是被获得用于在0.65eV和0.8eV之间的一个光子能的光致发光信号强度，优选地在0.70eV和0.75eV之间。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述参数是光致发光信号强度在0.65eV至0.8eV的光子能范围的至少一部分上的积分。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其中，所述基准样本具有大于5×10¹⁴cm^-3的已知热施主浓度([TD]_ref)。

6.一种用于分选处于原切割状态或表面形成状态的晶片的方法，所述晶片由半导体材料制成，所述方法包括以下步骤：

-提供(S11)由相同半导体材料制成并且具有已知热施主浓度([TD]_ref)的基准样本；

-针对包含在0.65eV和0.8eV之间的至少一个光子能，用光致发光工具测量(S12)所述基准样本的光致发光信号，所述基准样本的光致发光信号在0.65eV至0.8eV的光子能范围中具有第一强度峰值(P1)；

-根据所述基准样本的光致发光信号，确定(S13)在热施主浓度([TD])与表示所述第一强度峰值的第一参数之间的第一实验关系；

-针对至少所述第一光子能，用所述光致发光工具测量(S14)每个晶片的光致发光信号；

-根据每个晶片的光致发光信号，确定(S15)所述第一参数的特定值；

-通过使用所述第一实验关系，根据所述第一参数的特定值确定(S16)每个晶片的热施主浓度([TD])；

-确定(S22)每个晶片的多数自由载流子浓度(n)；

-根据每个晶片的热施主浓度([TD])和多数自由载流子浓度(n)计算(S23)每个晶片的体载流子寿命(τ_bulk)值；

-将每个晶片的体载流子寿命(τ_bulk)值与阈值(τ_lim)进行比较(S24)；以及

-当体载流子寿命(τ_bulk)值低于阈值(τ_lim)时，排除(S25)晶片。