[发明专利]发光器件、制造其的方法和包括其的显示装置在审
申请号: | 201980066758.6 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN112889154A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 任铉德;姜锺赫;金大贤;赵显敏;金东贤 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;杨永良 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 制造 方法 包括 显示装置 | ||
根据本发明的一个实施例的发光器件包括:基底;第一电极和第二电极,设置在基底上的不同的层上;第一绝缘层,置于第一电极与第二电极之间;以及至少一个发光二极管,电连接在第一电极与第二电极之间。
技术领域
本公开的各种实施例涉及一种发光器件、制造该发光器件的方法以及具有该发光器件的显示装置。
背景技术
最近,已经开发了使用具有可靠的无机晶体结构的材料制造超小型发光二极管和使用该发光二极管制造发光器件的技术。例如,已经开发了一种制造具有纳米级至微米级的范围的小尺寸的超小型发光二极管并使用该超小型发光二极管形成发光器件的光源的技术。这种发光器件可以设置在诸如显示装置和照明装置的各种电子装置中。
发明内容
技术问题
本公开的各种实施例涉及一种包括发光二极管的发光器件、制造该发光器件的方法以及包括该发光器件的显示装置。
技术方案
根据本公开的实施例的发光器件包括:基底;第一电极和第二电极,设置在基底之上的不同的层上;第一绝缘层,置于第一电极与第二电极之间;以及至少一个发光二极管,电连接在第一电极与第二电极之间。
在实施例中,第一电极和第二电极可以在至少一个区域中彼此叠置,并且在第一绝缘层置于第一电极与第二电极之间的情况下彼此间隔开。
在实施例中,发光二极管可以包括与第一电极和第二电极相邻设置并且在发光二极管的长度方向上定位在相对端上的第一端和第二端。第一端可以设置在发光二极管的一端上,并且被配置为面对第一电极和第二电极,并且第二端可以设置在发光二极管的相对端上。
在实施例中,发光器件还可以包括:第一接触电极,设置在发光二极管的第一端以及第一电极和第二电极的一个区域上,并且被配置为将第一端电连接到第一电极;以及第二接触电极,设置在发光二极管的第二端上,并且被配置为将第二端电连接到第二电极。
在实施例中,发光器件还可以包括:第一分隔壁,设置在基底与第一电极和第二电极之间,并且定位成与发光二极管的第一端相邻;以及第二分隔壁,设置在基底与第二接触电极之间,并且定位成与发光二极管的第二端相邻。
在实施例中,第一电极可以设置在第一绝缘层上。第二电极可以设置在基底与第一绝缘层之间,以与第一电极叠置。
在实施例中,在第一电极和第二电极彼此叠置的区域中,第二电极可以具有比第一电极的宽度大的宽度。
在实施例中,发光二极管的第一端可以设置为面对第一电极。发光二极管的至少一个区域可以与第二电极叠置。
在实施例中,发光器件还可以包括至少一个分隔壁,所述至少一个分隔壁设置在基底与第二电极之间,并且定位成与发光二极管的任一端相邻。
在实施例中,第一电极和第二电极的数量可以彼此不同。第二电极可以包括:第一子电极,与第一电极叠置;以及至少一个第二子电极,在平面图中设置成与第一电极和第一子电极间隔开预定距离。
在实施例中,发光二极管在平面图中可以包括在第一电极与第二电极之间在水平方向上定位的棒型发光二极管。
在实施例中,第一电极和第二电极可以在平面图中设置为彼此间隔开预定距离以彼此不叠置。
在实施例中,第一电极和第二电极可以具有在相同的方向上延伸的条的形状,并且以恒定的间隔彼此平行地设置。
在实施例中,第二电极可以在其与第一电极相邻的一个侧边缘区域上包括弯曲部。第一电极和第二电极可以在第一区域中设置在彼此间隔开第一距离的位置处,并且在与第一区域相邻的第二区域中设置在彼此间隔开比第一距离大的第二距离的位置处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的