[发明专利]压电的多层器件和用于制造压电的多层器件的方法在审

专利信息
申请号: 201980066794.2 申请日: 2019-10-01
公开(公告)号: CN114127969A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 丹尼斯·奥罗塞尔;王永力 申请(专利权)人: TDK电子股份有限公司
主分类号: H01L41/187 分类号: H01L41/187;H01L41/37;H01L41/43
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;支娜
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 压电 多层 器件 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种压电的多层构件,其包括陶瓷基体(1),所述陶瓷基体包含陶瓷材料,其中

-所述陶瓷材料的主要组分具有一般通式(KxNa1-x)NbO3,并且适用:0≤x≤1,

-并且所述陶瓷材料包含至少两种添加物,所述添加物选自分别包含至少一种金属的化合物的集合,所述至少一种金属选自至少包含K、Nb、Cu、Mn、Ta的金属的集合。

2.根据权利要求1所述的压电的多层构件,

其中所述多层构件适合于在大气压等离子体发生器中使用。

3.根据权利要求1或2所述的压电的多层构件,

其中所述陶瓷基体(1)具有多个内电极(2)。

4.根据权利要求3所述的压电的多层构件,

其中所述内电极(2)由选自如下集合的材料构成,所述集合至少包含Ag、Pd、Pt、Cu、Ni和由至少两种提到的金属构成的合金。

5.一种用于制造压电的多层器件的方法,所述多层器件包括陶瓷基体(1),所述陶瓷基体包含陶瓷材料,其中所述方法包括第一煅烧步骤和第二煅烧步骤。

6.根据权利要求5所述的方法,

其中所述第二煅烧步骤在如下最高温度执行,所述最高温度与执行所述第一煅烧步骤所处于的最高温度不同。

7.根据权利要求6所述的方法,

其中所述第一煅烧步骤在选自700℃至800℃的范围的最高温度执行,并且所述第二煅烧步骤在选自800℃至900℃的范围的最高温度执行。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法,

其中对于所述第二煅烧步骤选择保持时间,所述保持时间等于所述第一煅烧步骤的保持时间。

9.根据权利要求8所述的方法,

其中所述第一煅烧步骤和所述第二煅烧步骤分别在选自两小时至六小时的范围的保持时间中执行。

10.一种用于制造压电的多层器件的方法,所述多层器件包括陶瓷基体(1),所述陶瓷基体包含陶瓷材料,

其中将用于制造所述陶瓷材料的初始材料在水中进行工艺处理。

11.根据权利要求5至10中任一项所述的方法,

其中执行烧结步骤,对于所述烧结步骤选择在1000℃和1080℃之间的最高温度以及在30分钟和120分钟之间的保持时间。

12.根据权利要求5至11中任一项所述的方法,

其中在惰性气氛中执行烧结步骤。

13.根据权利要求5至12中任一项所述的方法,

其中在烧结步骤之后执行退火步骤。

14.根据权利要求13所述的方法,

其中对于所述退火步骤选择在800℃和900℃之间的最高温度以及在一小时和两小时之间的保持时间。

15.根据权利要求13或14所述的方法,

其中作为在所述退火步骤期间的气氛,选择空气或具有2×10-1至2×10-6bar的氧气分压的气氛。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK电子股份有限公司,未经TDK电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980066794.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top