[发明专利]钴配合物、其制造方法、以及含钴薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201980067199.0 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112839924B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 尾池浩幸;早川哲平;山本有纪;古川泰志;多田贤一 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所 |
| 主分类号： | C07C251/12 | 分类号： | C07C251/12;C07F15/06;C07F19/00;C07C49/12;C07F7/10;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 配合 制造 方法 以及 薄膜 | ||
1.一种钴络合物，其由下述式(1AB)表示，
式(1AB)中，R1及R2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，
R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4及R5分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。
2.根据权利要求1所述的钴络合物，其中，
R1、R2及R3为三(碳原子数1～4的烷基)甲硅烷基，R4及R5为甲基或乙基，X为碳原子数1～4的亚烷基。
3.根据权利要求1所述的钴络合物，其中，
R1、R2及R3为三甲基甲硅烷基，R4及R5为甲基或乙基，X为碳原子数1～4的亚烷基。
4.一种钴络合物，其由下述式(1AC)表示，
式(1AC)中，R1及R2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R6及R8分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
5.根据权利要求4所述的钴络合物，其中，
R1及R2为三(碳原子数1～4的烷基)甲硅烷基，R6及R8为甲基，R7为氢原子，Y为NR9，Z为NR10，R9及R10为碳原子数1～4的烷基。
6.根据权利要求4所述的钴络合物，其中，
R1及R2为三甲基甲硅烷基，R6及R8为甲基，R7为氢原子，Y为NR9，Z为NR10，R9及R10为碳原子数1～4的烷基。
7.一种钴络合物，其由下述式(1BC)表示，
式(1BC)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4及R5分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基，R6及R8分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
8.根据权利要求7所述的钴络合物，其中，
R3为三(碳原子数1～4的烷基)甲硅烷基，R4及R5为甲基或乙基，X为碳原子数1～4的亚烷基，R6及R8为碳原子数1～4的烷基，R7为氢原子，Y及Z为氧原子。
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