[发明专利]光伏太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201980067344.5 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN112997320A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | A.R.拉古纳阿隆索;J.本戈切亚艾珀兹特圭厄;E.苏加斯蒂德罗森德;M.J.罗德里格斯亨克 | 申请(专利权)人: | 西班牙环境能源技术研究中心 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 西班牙*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种光伏太阳能电池,包括:前电极(2)、后电极(3)以及布置在所述前电极(2)与所述后电极(3)之间的硅基板(1),
其中,
所述前电极(2)包括多个导电指状物(4)和用于引导产生的电流的多条母线(5),
其特征在于,
所述前电极(2)由仅由金属硅化物构成的单一材料形成,
所述导电指状物(4)彼此隔开距离s,其中s0,并且
所述导电指状物(4)的宽度wf等于或小于30μm。
2.根据权利要求1所述的光伏太阳能电池,其特征在于,所述金属硅化物的金属选自由钛、钴和镍组成的组。
3.根据权利要求1至2中的任一项所述的光伏太阳能电池,其特征在于,所述前电极(2)的所述导电指状物(4)之间的距离s至少为0.2mm,并且母线(5)的数量N至少为27。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光伏太阳能电池,其特征在于,所述前电极(2)的所述导电指状物(4)具有5μm的宽度wf。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的光伏太阳能电池,其特征在于,所述前电极(2)的所述导电指状物(4)具有30μm的宽度wf。
6.根据权利要求4所述的光伏太阳能电池,其特征在于,所述导电指状物(4)之间的距离s≥0.2mm,所述母线(5)的数量N≥27,并且其中每条母线(5)的宽度w总线≤148μm,并且所述母线(5)之间的距离小于或等于5.6mm。
7.根据权利要求5所述的光伏太阳能电池,其特征在于,所述导电指状物(4)之间的距离s≥1.1mm,所述母线(5)的数量N≥34,并且其中每条母线(5)的宽度w总线≤118μm,并且所述母线(5)之间的距离小于或等于4.5mm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光伏太阳能电池,其特征在于,所述导电指状物(4)具有与智能线型多母线电池连接技术兼容的参数。
9.一种光伏组件,所述光伏组件包括根据权利要求1至8中任一项所述的光伏太阳能电池。
10.一种用于制造根据权利要求1至8所述的光伏太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
调整所述硅基板(1)的表面并且在所述硅基板(1)中形成p-n键;
在所述硅基板(1)的所述表面上执行钝化,并且在所述硅基板(1)的所述表面上沉积抗反射涂层;
形成所述前电极(2);
形成所述后电极(3);
其特征在于,形成所述前电极(2)的所述步骤包括以下步骤:
清洁所述硅基板(1);
在所述硅基板(1)的所述表面上布置金属薄层;以及
施加热处理以引起金属与所述硅基板(1)的硅之间的反应。
11.根据权利要求10所述的用于制造光伏太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括以下步骤:
对所述硅基板(1)的上表面去除表面损伤,进行纹理化和清洁;
获取发射器;以及
通过激光处理形成所述金属硅化物。
12.根据权利要求11所述的用于制造光伏太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括以下步骤:通过激光在所述抗反射涂层中制造开口,以使得将所述前电极(3)的所述母线(5)与所述导电指状物焊接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的