[发明专利]量子器件的电介质保持器

权利要求书

1.一种设备，包括：

由第一材料形成的第一衬底，该第一材料表现出导热率的阈值水平，其中导热率的阈值水平在量子电路工作的低温温度范围内实现；

设置在第一衬底的凹槽中的第二衬底，该第二衬底由表现出导热率的第二阈值水平的第二材料形成，其中导热率的第二阈值水平在量子电路工作的低温温度范围内实现，并且其中至少一个量子位设置在第二衬底上；以及

传输线，被配置为在第一衬底和第二衬底之间传送微波信号。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括：

设置在第一衬底的第二凹槽中的第三衬底，该第三衬底由表现出导热率的第三阈值水平的第三材料形成，其中导热率的第三阈值水平在量子电路工作的低温温度范围内实现，并且其中至少一个量子位设置在第三衬底上。

3.根据权利要求2所述的设备，还包括：

第二传输线，被配置为在第三衬底上的至少一个量子位与第二衬底上的至少一个量子位之间传送第二微波信号。

4.根据权利要求1所述的设备，其中铣削衬底以形成凹槽。

5.根据权利要求4所述的设备，其中铣削由激光铣削设备执行。

6.根据权利要求1所述的设备，其中凹槽的深度在200至700微米之间的范围内，包括该范围的每个末端。

7.根据权利要求1所述的设备，其中蚀刻衬底以形成凹槽。

8.根据权利要求1所述的设备，其中第一材料包括蓝宝石，硅，石英，砷化镓，熔融石英，非晶硅或金刚石中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的设备，其中第二材料包括蓝宝石，硅，石英，砷化镓，熔融石英，非晶硅或金刚石中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的设备，其中第二衬底的顶表面与第一衬底的顶表面基本上齐平。

11.根据权利要求1所述的设备，其中凹槽的深度为约200微米。

12.根据权利要求1所述的设备，还包括：

设置在第二衬底的凹槽中的第三衬底，该第三衬底由表现出导热率的第三阈值水平的第三材料形成，其中导热率的第三阈值水平在量子电路工作的低温温度范围内实现，并且其中至少一个量子位设置在第三衬底上。

13.根据权利要求12所述的设备，其中第三衬底与第一衬底的顶表面基本齐平。

14.一种计算机可用程序产品，包括一个或多个计算机可读存储设备，以及存储在一个或多个存储设备中的至少一个上的程序指令，存储的该程序指令包括：

在第一衬底中形成凹槽的程序指令，第一衬底由表现出导热率的阈值水平的第一材料形成，其中导热率的阈值水平在量子电路工作的低温温度范围内实现；

将第二衬底放置在第一衬底的凹槽中的程序指令，第二衬底由表现出导热率的第二阈值水平的第二材料形成，其中导热率的第二阈值水平在量子电路工作的低温温度范围内实现，以及其中至少一个量子位设置在第二衬底上；和

在第一衬底和第二衬底之间连接被配置为承载微波信号的传输线的程序指令。

15.根据权利要求14所述的计算机可用程序产品，其中计算机可用代码存储在服务器数据处理系统中的计算机可读存储设备中，并且其中计算机可用代码通过网络下载到远程数据处理系统，以在与远程数据处理系统关联的计算机可读存储设备中使用。

16.根据权利要求14所述的计算机可用程序产品，其中计算机可用代码存储在数据处理系统中的计算机可读存储设备中，并且其中计算机可用代码通过网络从远程数据处理系统传输。