[发明专利]硅晶片的热处理方法在审
| 申请号： | 201980068159.8 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112805810A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 潮田彩;青木龙彦 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.硅晶片的热处理方法，其特征在于：其是在腔室内对保持可旋转的硅晶片在惰性气体气氛下进行快速升降温热处理的硅晶片的热处理方法，
其中，在上述腔室内的热处理温度为900℃以上且1100℃以下的温度区段中保持晶片5秒以上且30秒以下的时间，同时使晶片转速设为80rpm以上且120rpm以下，
控制上述腔室内的惰性气体的供给，使气体置换率成为90%以上。
2.权利要求1所述的硅晶片的热处理方法，其特征在于：在上述腔室内的热处理温度达到1300℃以上之前，在900℃以上且1100℃以下的温度区段中保持晶片5秒以上且30秒以下的时间，同时使晶片转速设为80rpm以上且120rpm以下。
3.权利要求1或2所述的硅晶片的热处理方法，其特征在于：在900℃以上且1100℃以下的温度区段中，上述腔室内的压力设为1kPa以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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