[发明专利]使用脉冲式DC偏压时的自动ESC偏压补偿在审

专利信息
申请号: 201980068179.5 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN112868083A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: J·罗杰斯;L·崔;L·多尔夫 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02;C23C16/455
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 脉冲 dc 偏压 自动 esc 补偿
【权利要求书】:

1.一种系统,包含:

等离子体工艺腔室;以及

耦接至所述等离子体工艺腔室的偏压与箝位电路,所述偏压与箝位电路包含:

第一整形DC脉冲电压源;以及

并联连接至所述第一整形DC脉冲电压源的箝位网络,所述箝位网络包含:

直流电压源;以及

二极管。

2.如权利要求1所述的系统,其中所述等离子体工艺腔室包含:

腔室主体;

腔室盖,其中所述腔室主体与所述腔室盖界定处理空间;以及

设置在所述处理空间中的基板支撑组件。

3.如权利要求1所述的系统,其中所述偏压与箝位电路进一步包含第二整形DC脉冲电压源。

4.如权利要求1所述的系统,其中所述偏压与箝位电路进一步包含开关。

5.一种系统,包含:

等离子体工艺腔室;以及

耦接至所述等离子体工艺腔室的偏压与箝位电路,所述偏压与箝位电路被配置成向设置在所述等离子体工艺腔室中的基板提供脉冲式偏压电压和恒定箝位电压。

6.如权利要求6所述的系统,其中所述偏压与箝位电路包含:

第一整形DC脉冲电压源;以及

并联连接至所述第一整形DC脉冲电压源的箝位网络,其中所述箝位网络包含:

第一直流电压源;

第一二极管;

第一电容器;以及

第一电阻器。

7.如权利要求7所述的系统,其中在第一节点与第二节点之间连接所述第一二极管,并在所述第二节点与接地节点之间连接所述直流电压源。

8.如权利要求8所述的系统,其中所述偏压与箝位电路进一步包含第一整形DC脉冲电压源网络,其中在所述第一节点与所述第二节点之间连接所述第一整形DC脉冲电压源网络。

9.如权利要求8所述的系统,其中所述偏压与箝位电路进一步包含第二整形DC脉冲电压源网络,其中在所述第一节点与所述接地节点之间连接所述第二整形DC脉冲电压源网络。

10.如权利要求10所述的系统,其中所述第二脉冲网络包含第三整形DC脉冲电压源、第三二极管、第二电阻器、第二直流电压源、第三电阻器和第二电容器,其中在所述第一节点与所述第二节点之间连接所述第三整形DC脉冲电压源、所述第三二极管和所述第二电阻器,并且其中在所述第二节点与所述接地节点之间连接所述第二直流电压源、所述第三电阻器和所述第二电容器。

11.一种方法,包含:

偏压和箝位设置在静电卡盘上的基板,所述静电卡盘设置在等离子体工艺腔室中,在基本上恒定的电压下箝位所述基板,所述偏压和箝位所述基板包含:

向所述基板提供第一电压,所述第一电压为脉冲式;以及

向嵌入在所述静电卡盘中的电极提供第二电压,所述基本上恒定的电压为所述第一电压与所述第二电压之间的差。

12.如权利要求12所述的方法,其中由第一整形DC脉冲电压源和箝位网络来执行所述偏压和箝位所述基板,并且由所述第一整形DC脉冲电压源来提供所述第一电压。

13.如权利要求13所述的方法,其中所述箝位网络包含二极管,其中当所述第一电压处于高状态时,所述二极管导通,并且当所述第一电压处于低状态时,所述二极管处于反向偏压模式。

14.如权利要求13所述的方法,其中所述脉冲式第一电压包含正脉冲的脉冲串,其中所述箝位网络包含开关,并且所述开关在所述正脉冲的脉冲串之间导通,并且其中所述箝位网络包含第二整形DC脉冲电压源,并且所述第二整形DC脉冲电压源在所述正脉冲的脉冲串之间导通。

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