[发明专利]光检测元件和光检测装置

权利要求书

1.一种光检测元件，其特征在于，具备

半导体基板，

形成于所述半导体基板上的第一导电型的光吸收层，

形成于所述光吸收层上的第一导电型的盖层，以及

形成于所述盖层内，与所述盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域，

形成于所述半导体区域的周围的耗尽层，在不向所述pn结施加反方向偏置的情况下，未达到所述光吸收层，在向所述pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从所述盖层侧超过所述光吸收层的厚度的50％的位置。

2.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，在向所述pn结施加20V的反方向偏置的情况下，所述耗尽层从所述盖层侧超过所述光吸收层的厚度的80％的位置。

3.根据权利要求1或2所述的光检测元件，其特征在于，

还具备形成于所述光吸收层和所述盖层之间的第一导电型的缓和层。

4.根据权利要求1或2所述的光检测元件，其特征在于，

所述光吸收层和所述盖层相互接触。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光检测元件，其特征在于，

在所述盖层内形成多个所述半导体区域，并且在从所述半导体基板的厚度方向观察的情况下，一维地或二维地排列所述半导体区域。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的光检测元件，其特征在于，

在所述盖层内形成多个所述半导体区域，并且在从所述半导体基板的厚度方向观察的情况下一维地排列所述半导体区域，

在与所述半导体基板的厚度方向和所述半导体区域的排列方向的两个方向垂直的宽度方向，所述盖层的宽度比所述半导体基板的宽度小。

7.根据权利要求6所述的光检测元件，其特征在于，

在所述宽度方向，所述光吸收层的宽度比所述半导体基板的宽度小。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的光检测元件，其特征在于，

所述第一导电型是n型，并且所述第二导电型是p型。

9.一种光检测装置，其特征在于，具备：

权利要求1～8中任一项所述的光检测元件，以及

向所述pn结施加脉冲电压信号并且获得从所述光检测元件输出的检测信号的信号处理单元，

所述脉冲电压是所述耗尽层未达到所述光吸收层的第一电压和所述耗尽层达到所述光吸收层的第二电压交替重复的电压信号。

10.根据权利要求9所述的光检测装置，其特征在于，

所述第二电压是所述耗尽层从所述盖层侧达到所述光吸收层的厚度的100％的位置的电压。

11.根据权利要求9或10所述的光检测装置，其特征在于，

所述第二电压是20V以下的电压。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

所述第二电压是10V以下的电压。

13.根据权利要求9～12中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

所述第二电压是5V以下的电压。

14.根据权利要求9～13中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

还具备输出所述光检测元件具有灵敏度的脉冲光的光源。

15.根据权利要求14所述的光检测装置，其特征在于，

所述光源以10KHz以上的频率输出所述脉冲光。