[发明专利]单极性电平转移电路及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一源极跟随器；

第二源极跟随器；以及

比较器，

其中，所述第一源极跟随器被供应第二高电源电位及低电源电位，

所述第二源极跟随器被供应第一高电源电位及所述低电源电位，

所述比较器被供应所述第一高电源电位及所述低电源电位，

所述第一高电源电位比所述低电源电位高，

所述第二高电源电位比所述第一高电源电位高，

所述第一源极跟随器被输入使用所述第二高电源电位及所述第一高电源电位表示高电平或低电平的数字信号，

所述比较器对所述第一源极跟随器的输出电位与所述第二源极跟随器的输出电位进行比较，

并且，所述比较器输出使用所述第一高电源电位及所述低电源电位表示高电平或低电平的数字信号。

2.一种半导体装置，包括：

第一源极跟随器；

第二源极跟随器；以及

比较器，

其中，所述第一源极跟随器被供应第二高电源电位及低电源电位，

所述第二源极跟随器被供应第一高电源电位及所述低电源电位，

所述比较器被供应所述第一高电源电位及所述低电源电位，

所述第一高电源电位比所述低电源电位高，

所述第二高电源电位比所述第一高电源电位高，

所述第一源极跟随器被输入使用所述第二高电源电位及所述第一高电源电位表示高电平或低电平的数字信号，

在所述第一源极跟随器的输出电位比所述第二源极跟随器的输出电位高时，所述比较器输出所述第一高电源电位，

并且，在所述第一源极跟随器的输出电位比所述第二源极跟随器的输出电位低时，所述比较器输出所述低电源电位。

3.一种半导体装置，包括：

第一源极跟随器；

第二源极跟随器；以及

比较器，

其中，所述第一源极跟随器被供应第二高电源电位及低电源电位，

所述第二源极跟随器被供应第一高电源电位及所述低电源电位，

所述比较器被供应所述第一高电源电位及所述低电源电位，

所述第一高电源电位比所述低电源电位高，

所述第二高电源电位比所述第一高电源电位高，

所述第一源极跟随器被输入使用所述第二高电源电位及所述第一高电源电位表示高电平或低电平的数字信号，

所述第二源极跟随器被输入规定电位，

在所述第一源极跟随器的输出电位比所述第二源极跟随器的输出电位高时，所述比较器输出所述第一高电源电位，

并且，在所述第一源极跟随器的输出电位比所述第二源极跟随器的输出电位低时，所述比较器输出所述低电源电位。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中构成所述第一源极跟随器的晶体管、构成所述第二源极跟随器的晶体管及构成所述比较器的晶体管为n沟道型晶体管。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中构成所述第一源极跟随器的晶体管、构成所述第二源极跟随器的晶体管及构成所述比较器的晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。