[发明专利]金属氧化物的制造方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980068259.0 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112913033A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1156 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 制造 方法 半导体 装置 | ||
1.一种金属氧化物的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成包含铟的金属氧化物的第一工序；以及
从所述金属氧化物上进行微波处理的第二工序，
其中，所述第二工序在减压下且使用包含氧的气体进行，
并且，通过所述第二工序将氢进入所述金属氧化物中的氧空位的缺陷(VOH)分为氧空位(VO)和氢(H)。
2.一种金属氧化物的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成包含铟的金属氧化物的第一工序；
从所述金属氧化物上进行微波处理的第二工序；以及
对所述金属氧化物进行加热处理的第三工序，
其中，所述第二工序在减压下且使用包含氧的气体进行，
所述第三工序在减压下进行，
通过所述第二工序将氢进入所述金属氧化物中的氧空位的缺陷(VOH)分为氧空位(VO)和氢(H)，
并且，通过所述第三工序减少所述金属氧化物中的氧空位(VO)。
3.一种金属氧化物的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成包含铟的金属氧化物的第一工序；
在所述金属氧化物上形成第一导电体及第二导电体的第二工序；
从所述金属氧化物上进行微波处理的第三工序；以及
对所述金属氧化物进行加热处理的第四工序，
其中，所述第三工序在减压下且使用包含氧的气体进行，
所述第四工序在减压下进行，
通过所述第三工序将氢进入所述金属氧化物中的氧空位的缺陷(VOH)分为氧空位(VO)和氢(H)，
并且，通过所述第四工序减少所述金属氧化物中的氧空位(VO)且所述金属氧化物中的氢(H)扩散到所述第一导电体及所述第二导电体。
4.一种金属氧化物的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成包含铟的金属氧化物的第一工序；
在所述金属氧化物上形成第一导电体及第二导电体的第二工序；
在所述金属氧化物上形成绝缘膜的第三工序；
从所述绝缘膜上进行微波处理的第四工序；以及
对所述金属氧化物和所述绝缘膜中的一方或双方进行加热处理的第五工序；
其中，所述第四工序在减压下且使用包含氧的气体进行，
所述第五工序在减压下进行，
通过所述第四工序将氢进入所述金属氧化物中的氧空位的缺陷(VOH)分为氧空位(VO)和氢(H)，
并且，通过所述第五工序减少所述金属氧化物中的氧空位(VO)且所述金属氧化物中的氢(H)扩散到所述第一导电体及所述第二导电体。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的金属氧化物的制造方法，
其中所述加热处理的温度为300℃以上且500℃以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的金属氧化物的制造方法，
其中所述微波处理的压力为133Pa以上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的金属氧化物的制造方法，
其中所述第一工序使用包含铟的氧化物靶材通过溅射法而进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980068259.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
