[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201980068281.5 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN112868089A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 森弘明;川口义广;久野和哉;田之上隼斗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;G01B11/00;H01L21/68 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,对基板进行处理,所述基板处理装置具有:
保持部,其保持将第一基板与第二基板接合而成的重合基板;
第一检测部,其检测所述第一基板的外侧端部;
第二检测部,其检测所述第一基板与第二基板进行了接合的接合区域同该接合区域的外侧的未接合区域之间的边界;
周缘去除部,其针对被所述保持部保持的所述重合基板去除所述第一基板中的作为去除对象的周缘部;
保持部移动机构,其使所述保持部沿水平方向移动;以及
控制部,其控制所述保持部、所述第一检测部、所述第二检测部、所述周缘去除部以及所述保持部移动机构,
其中,所述控制部执行以下控制:
使所述第一检测部检测所述第一基板的外侧端部;
根据通过所述第一检测部检测出的检测结果来计算所述保持部的中心与所述第一基板的中心的第一偏心量;
使所述第二检测部检测所述接合区域与所述未接合区域之间的边界;
根据通过所述第二检测部检测出的检测结果来计算所述保持部的中心与所述接合区域的中心的第二偏心量;以及
基于所述第二偏心量,以使所述接合区域的中心与所述周缘部的中心一致的方式决定所述保持部相对于所述周缘去除部的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述保持部移动机构具有:
旋转部,其使所述保持部旋转;以及
水平移动部,其具有使所述保持部沿水平方向在进行所述重合基板的搬入搬出的搬入搬出位置与通过所述周缘去除部来去除所述周缘部的去除位置之间移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二检测部为拍摄所述接合区域与所述未接合区域之间的边界的第二摄像部,
所述控制部执行以下控制:
在所述第一偏心量不具备与所述水平移动部使所述保持部移动的移动方向正交的正交方向上的偏心量的情况下,通过所述水平移动部使所述保持部移动,以校正所述第一偏心量中的所述移动方向上的偏心量;
一边通过所述旋转部使所述保持部旋转,一边通过所述第二摄像部沿周向拍摄所述接合区域与所述未接合区域之间的边界;以及
根据通过所述第二摄像部拍摄到的图像来计算周向上的所述第二偏心量。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二检测部为拍摄所述接合区域与所述未接合区域之间的边界的第二摄像部,
所述控制部执行以下控制:
在所述第一偏心量具备与所述水平移动部使所述保持部移动的移动方向正交的正交方向上的偏心量的情况下,通过所述水平移动部使所述保持部移动,以校正所述第一偏心量中的所述移动方向上的偏心量;
一边通过所述旋转部使所述保持部旋转并通过所述水平移动部使所述保持部沿水平方向移动,以校正所述第一偏心量中的所述正交方向上的偏心量,一边通过所述第二摄像部沿周向拍摄所述接合区域与所述未接合区域之间的边界;以及
根据通过所述第二摄像部拍摄到的图像来计算周向上的所述第二偏心量。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部执行以下控制:一边基于所述第二偏心量,通过所述旋转部使所述保持部旋转并通过所述水平移动部使所述保持部沿水平方向移动,以使所述接合区域的中心与所述周缘部的中心一致,一边通过所述周缘去除部来去除所述周缘部。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述周缘去除部针对被所述保持部保持的所述重合基板,沿所述周缘部与中央部之间的边界在所述第一基板的内部形成周缘改性层。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有分割改性部,所述分割改性部用于在所述第一基板的内部形成从所述周缘改性层向径向外侧延伸的分割改性层,
所述控制部基于所述第二偏心量来校正所述分割改性层的径向的长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造