[发明专利]透射型扩散器

权利要求书

1.一种被配置成接收并传输辐射的扩散器，其中，所述扩散器包括：

多个层，每个层被布置成通过不同方式改变穿过该层的辐射的角分布。

2.根据权利要求1所述的扩散器，其中，所述多个层中的至少两个层主要引起穿过所述至少两个层的EUV辐射在所述扩散器的平面中沿单个散射方向的角分散，所述至少两个层的散射方向是不同的。

3.根据权利要求2所述的扩散器，其中，所述多个层中的至少两个层引起穿过所述至少两个层的EUV辐射在所述至少两个层的各自的散射方向上进行不同量的角分散。

4.根据前述权利要求中任一项所述的扩散器，其中，所述多个层中的至少一个层包括散射材料层，所述散射材料层具有设置于所述散射材料层上的至少一个表面上的纳米结构。

5.根据权利要求4所述的扩散器，其中，所述纳米结构包括具有在2nm至10nm的范围内的尺寸的特征。

6.根据前述权利要求中任一项所述的扩散器，所述扩散器被配置成使得在至少一个散射方向上的角散射分布具有5°或更大的宽度。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的扩散器，其中，所述散射材料具有折射率n，并且其中(1-n)的量值大于为0.06的阈值。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的扩散器，其中，所述散射材料具有针对EUV辐射的消光系数k，所述消光系数k小于为0.04nm^-1的阈值。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的扩散器，其中，所述散射材料具有针对EUV辐射的折射率n和消光系数k，并且其中(1-n)的量值与(k+0.025)的比率大于为2的阈值。

10.根据权利要求4至9中任一项所述的扩散器，其中，所述散射材料包括钼、钌、铌、铑或锝中的一种。

11.根据权利要求4至10中任一项所述的扩散器，其中，所述散射材料具有厚度，所述厚度被布置成使得传播穿过所述散射材料的厚度的EUV辐射产生(2m+1)π弧度的相移。

12.根据权利要求4至11中任一项所述的扩散器，其中，所述散射材料层与支撑材料层相邻，支撑材料具有设置于所述支撑材料的至少一个表面上的纳米结构。

13.根据权利要求12所述的扩散器，其中，所述支撑材料层包括由碳纳米管形成的膜。

14.根据权利要求12所述的扩散器，其中，所述支撑材料层包括多孔硅。

15.一种被配置成接收并传输辐射的扩散器，其中，所述扩散器包括：

第一层，所述第一层由第一材料形成，所述第一层包括位于所述第一层的至少一个表面上的纳米结构；和

第二层，所述第二层由与所述第一层的所述至少一个表面相邻的第二材料形成，使得所述第二层也包括纳米结构，所述第二材料具有与所述第一层的折射率不同的折射率。

16.根据权利要求15所述的扩散器，其中，所述纳米结构包括具有在2nm至10nm的范围内的尺寸的特征。

17.根据权利要求15或权利要求16所述的扩散器，所述扩散器被配置成使得在至少一个散射方向上的角散射分布具有5°或更大的宽度。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的扩散器，其中，所述第一层包括由碳纳米管形成的膜。

19.根据权利要求15至17中任一项所述的扩散器，其中，所述第一层包括多孔硅。