[发明专利]依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法

权利要求书

1.一种用于抛光半导体衬底的方法，每一衬底具有前表面及大体上平行于所述前表面的后表面，所述方法包括：

使第一半导体衬底的所述前表面与抛光垫接触；

将第一半导体衬底抛光浆料供应到所述抛光垫，以精抛光所述第一半导体衬底的所述前表面且产生经抛光的第一半导体衬底；

测量所述第一半导体衬底的边缘滚降；

使第二半导体衬底的所述前表面与所述抛光垫接触；

将第二半导体衬底抛光浆料供应到所述抛光垫，以精抛光所述第二半导体衬底的所述前表面；及

至少部分地基于所述第一半导体衬底的所述经测量的边缘滚降与相同的抛光垫的平均边缘滚降之间的差，控制当使所述第二半导体衬底与所述抛光垫接触时，供应到所述抛光垫的所述第二半导体衬底抛光浆料的量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分地基于所述抛光垫的寿命，控制当使所述第二半导体衬底与所述抛光垫接触时供应到所述抛光垫的所述抛光浆料的所述量。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中至少部分地基于所述第二半导体衬底的平坦度，控制当使所述第二半导体衬底与所述抛光垫接触时供应到所述抛光垫的所述第二半导体衬底抛光浆料的所述量。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中在至少两个步骤中供应所述第二半导体衬底抛光浆料，所述第二半导体衬底抛光浆料是包括二氧化硅的第一步抛光浆料，以第一步抛光浆料体积将所述第一步抛光浆料供应到所述抛光垫，所述方法进一步包括：

以第二步抛光浆料体积将第二步抛光浆料供应到所述抛光垫，所述第一步抛光浆料包括相对于所述第二步抛光浆料的更高浓度的二氧化硅，其中通过控制所述第一步抛光浆料体积与所述第二步抛光浆料体积的比率来控制供应到所述抛光垫的所述第一步抛光浆料的所述量。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二步抛光浆料包括二氧化硅。

6.根据权利要求4所述的方法，其中通过控制将所述第一步抛光浆料及所述第二步抛光浆料施加到所述抛光垫的时间来控制所述第一步抛光浆料体积与所述第二步抛光浆料体积的所述比率。

7.根据权利要求4到6中任一权利要求所述的方法，其中将所述第一步抛光浆料及所述第二步抛光浆料单独地供应到所述抛光垫。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中供应到所述抛光垫的第二半导体抛光浆料的所述量是当在抛光设备的第一台处抛光时所供应的第二半导体抛光浆料的总量，所述方法包括将所述衬底转移到所述抛光设备的第二台。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中当抛光所述衬底的所述前表面时，所述第一及第二半导体衬底的所述后表面不与抛光垫接触。

10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的方法，其中：

所述第一半导体衬底的所述精抛光从所述第一半导体衬底的所述前表面移除约0.5μm或更少的材料；且

所述第二半导体衬底的所述精抛光从所述第二半导体衬底的所述前表面移除约0.5μm或更少的材料。

11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的方法，其中所述第一半导体衬底是由所述抛光垫抛光的前五个、前十个或前二十个衬底中的一个衬底。

12.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的方法，其中所述第一半导体衬底是由所述抛光垫抛光的第一个衬底。