[发明专利]密封封装及其形成方法

权利要求书

1.一种形成气密密封封装的方法，其包括：

在壳体晶片中设置空腔；

将介电接合晶片气密密封到所述壳体晶片的第一主表面；

在所述介电接合晶片中设置开口以暴露所述壳体晶片的所述空腔；

在基板晶片上设置电子装置；以及

将所述基板晶片气密密封到所述介电接合晶片，使得所述电子装置与所述壳体晶片的所述空腔对齐。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述基板晶片气密密封到所述介电接合晶片之前在所述壳体晶片的所述空腔中设置电源，其中所述电源电连接到所述电子装置。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述壳体晶片的所述空腔包括在所述壳体晶片的所述第一主表面与第二主表面之间延伸的开口，其中所述方法进一步包括：

在将所述基板晶片气密密封到所述介电接合晶片之后在所述壳体晶片的所述开口中设置电源；以及

通过所述开口将底壁气密密封到所述壳体晶片的所述第二主表面，使得所述电源设置在所述基板晶片与所述底壁之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述电子装置设置在所述基板晶片的主表面上，其中将所述基板晶片气密密封到所述介电接合晶片包括将所述基板晶片的所述主表面气密密封到所述介电接合晶片以使得所述电子装置设置在所述壳体晶片的所述空腔内。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其进一步包括去除所述壳体晶片、介电接合晶片和基板晶片中的每一个的一部分以形成所述气密密封封装。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中气密密封所述介电接合晶片包括将所述介电接合晶片扩散接合到所述壳体晶片。

7.根据权利要求6所述的方法，其中扩散接合所述介电接合晶片包括将所述介电接合晶片激光接合到所述壳体晶片。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中将所述基板晶片气密密封到所述介电接合晶片包括将所述基板晶片激光接合到所述介电接合晶片。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中在所述基板晶片上设置所述电子装置包括在所述基板晶片上形成所述电子装置。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中在所述介电接合晶片中设置所述开口包括以下中的至少一个：蚀刻材料、剥蚀材料或机械地去除材料，从而在所述介电接合晶片中设置所述开口以暴露所述壳体晶片的所述空腔。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述介电接合晶片包括蓝宝石。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述基板晶片包括介电材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述基板晶片包括蓝宝石或玻璃中的至少一个。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述壳体晶片包括导电材料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述壳体晶片包括钛。