[发明专利]用于在EUV光源中减少来自源材料的污染的装置和方法在审
申请号: | 201980069608.0 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN113039868A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | D·拉贝斯基;A·D·拉弗格;马悦 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 euv 光源 减少 来自 材料 污染 装置 方法 | ||
1.用于生成EUV辐射的装置,所述装置包括:
容器;
位于所述容器内的收集器镜,所述收集器镜具有光轴、位于所述容器内并在所述光轴上的主焦点以及在所述光轴上的中间焦点;
至少一个排气口,所述至少一个排气口位于在所述光轴上的、在所述主焦点和所述中间焦点之间的第一位置旁边的、所述容器的侧壁中;和
至少一个入口,所述至少一个入口适于被放置成与气体源流体连通,所述气体源与氢自由基结合,并位于在所述光轴上的、在所述中间焦点与所述第一位置之间的第二位置旁边的侧壁中。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述气体包括氧气。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述气体包括分子氧。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述气体包括氧自由基。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述气体包括甲烷。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述气体包括以下一项的分子:CO、CO2、卤素、丙酮蒸气、H2S、NO2、N2、NH3、H2O、肼和NF3。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述气体包括以下一项的的自由基:CO、CO2、卤素、丙酮蒸气、H2S、NO2、N2、NH3、H2O、肼和NF3。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述气体的分压在大约10E-4mbar至大约10E-2mbar的范围内。
9.一种用于生成EUV辐射的装置,所述装置包括:
容器;
位于所述容器内的收集器镜,所述收集器镜具有光轴和位于所述容器内并在所述光轴上的主焦点,以及在所述光轴上的中间焦点;
至少一个排气口,所述至少一个排气口位于在所述光轴上的、在所述主焦点和所述中间焦点之间的第一位置旁边的、所述容器的侧壁中;和
至少一个入口,所述至少一个入口适于被放置成与气体源流体连通,所述气体源与氢自由基结合,并位于比所述主焦点更靠近所述排气口的侧壁中。
10.根据权利要求9所述的装置,其中所述气体包括氧气。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述气体包括分子氧。
12.根据权利要求10所述的装置,其中所述气体包括氧自由基。
13.根据权利要求9所述的装置,其中所述气体包括甲烷。
14.根据权利要求9所述的装置,其中所述气体包括以下一项的分子:CO、CO2、卤素、丙酮蒸气、H2S、NO2、N2、NH3、H2O、肼和NF3。
15.根据权利要求9所述的装置,其中所述气体包括以下一项的自由基:CO、CO2、卤素、丙酮蒸气、H2S、NO2、N2、NH3、H2O、肼和NF3。
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