[发明专利]具有改善温度均匀性的空间晶片处理

权利要求书

1.一种处理腔室，包括：

第一处理站，所述第一处理站包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；

第二处理站，所述第二处理站包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和

基板支撑组件，所述基板支撑组件包括多个实质上共面的支撑表面，所述基板支撑组件被配置为在所述第一处理站和所述第二处理站之间移动所述支撑表面，

其中所述第一面与所述多个实质上共面的支撑表面间隔第一距离，所述第二面与所述多个实质上共面的支撑表面间隔第二距离，并且所述第一发射率小于所述第二发射率和/或所述第一温度大于所述第二温度。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中在晶片位于所述支撑表面上时，在约0.5秒内于所述第一处理站和所述第二处理站之间移动所述晶片时产生的温度偏斜小于约0.5℃。

3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第二距离大于所述第一距离。

4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一距离和所述第二距离相同。

5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一发射率和所述第二发射率是不同的，并且所述第一温度和所述第二温度是不同的。

6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一发射率和所述第二发射率是不同的，并且所述第一温度和所述第二温度是相同的。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一处理站包括热站，而所述第二处理站包括等离子体站。

8.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一处理站包括热站，而所述第二处理站包括热站。

9.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括在所述支撑表面上的至少一个晶片。

10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述第一发射率和所述第一温度和/或所述第二发射率和所述第二温度在所述第一处理站和所述第二处理站中提供所述晶片的稳态温度。

11.一种处理方法，包含以下步骤：

在第一处理站与第二处理站之间移动基板支撑表面，所述第一处理站包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器，所述第一面与所述基板支撑表面间隔第一距离，所述第二处理站包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器，所述第二面与所述基板支撑表面间隔第二距离，

其中所述第一发射率低于所述第二发射率和/或所述第一温度大于所述第二温度。

12.如权利要求11所述的处理方法，其中所述第二距离大于所述第一距离。

13.如权利要求11所述的处理方法，其中所述第一距离和所述第二距离相同。

14.如权利要求11所述的处理方法，进一步包括将至少一个晶片装载到所述基板支撑表面上。

15.一种处理腔室，包括：

热处理站，所述热处理站包括具有第一面、第一发射率和第一温度的热喷头；

等离子体处理站，所述等离子体处理站包括具有第二面、第二发射率和第二温度的等离子体喷头；

基板支撑组件，所述基板支撑组件包括多个实质上共面的支撑表面，所述支撑表面上具有至少一个晶片，所述基板支撑组件被配置为在所述热处理站和所述等离子体处理站之间移动所述至少一个晶片；和

控制器，所述控制器连接至所述多个实质上共面的支撑表面，

其中所述第一面与所述至少一个晶片间隔开约0.5mm至约3mm，并且所述第二面与所述至少一个晶片间隔开约7mm至约15mm，且所述第一发射率低于所述第二发射率和/或所述第一温度大于所述第二温度。