[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列，形成于绝缘基板上，

该薄膜晶体管阵列具有多个像素，所述像素具备薄膜晶体管、像素电极、以及电容器电极，

所述多个像素在多根列布线与多根行布线交叉的位置呈矩阵状配置，所述多根列布线以沿列方向延伸的方式配置，所述多根行布线以沿与所述列布线正交的行方向延伸的方式配置，

所述薄膜晶体管具有栅极电极、源极电极、漏极电极、以及位于所述源极电极与所述漏极电极之间的半导体图案，

所述半导体图案配置于在层叠方向上隔着栅极绝缘膜而与所述栅极电极重叠的位置，

所述电容器电极在所述层叠方向上隔着层间绝缘膜而配置于所述薄膜晶体管之上，

所述像素电极在所述层叠方向上隔着电容器绝缘膜而配置于所述电容器电极之上，

所述源极电极与所述列布线连接，

所述栅极电极与所述行布线连接，

所述漏极电极与所述像素电极连接，

所述电容器电极与电容器布线连接，

所述像素电极由下层的电极即下像素电极与上层的电极即上像素电极这双层导电层构成，

在所述下像素电极与所述上像素电极之间夹着中间绝缘膜，

所述上像素电极经由所述中间绝缘膜的开口部与所述下像素电极连接，

通过所述电容器电极与所述下像素电极的重叠来构成静电电容，

所述列布线配置于在所述层叠方向上不与所述电容器电极以及所述下像素电极重叠但与所述上像素电极重叠的位置。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，

所述中间绝缘膜为树脂。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列，

在沿着所述层叠方向的剖视中，所述中间绝缘膜的所述开口部的形状为正锥形状。

4.如权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管阵列，

所述半导体图案为非晶硅，

所述中间绝缘膜在500nm～600nm的波长范围内的光的透射率为50％以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管阵列，

所述栅极绝缘膜、所述层间绝缘膜以及所述电容器绝缘膜为无机物质。

6.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，至少包含如下工序：

在绝缘基板上形成包含栅极电极以及行布线在内的电极的工序；

在所述绝缘基板之上、所述栅极电极以及所述行布线之上形成栅极绝缘膜的工序；

在与所述栅极电极重叠的位置形成半导体图案的工序；

在所述栅极绝缘膜以及所述半导体图案之上，形成包含列布线、源极连接布线、源极电极、漏极电极、漏极连接布线以及漏极焊盘在内的电极的工序；

在所述列布线、所述源极连接布线、所述源极电极、所述漏极电极、所述漏极连接布线以及所述漏极焊盘之上形成层间绝缘膜的工序；

在所述层间绝缘膜之上形成电容器电极以及电容器布线的工序；

在所述层间绝缘膜、所述电容器电极以及所述电容器布线之上形成电容器绝缘膜的工序；

在所述漏极焊盘之上的所述电容器绝缘膜以及所述层间绝缘膜中，开设漏极连接用开口部的工序；

在所述电容器绝缘膜之上且在所述漏极连接用开口部的位置，形成与所述漏极焊盘连接的下像素电极的工序；

在所述电容器绝缘膜以及所述下像素电极之上，形成在一部分具有开口部的中间绝缘膜的工序；以及

在所述中间绝缘膜之上且在所述开口部的位置，形成与所述下像素电极连接的上像素电极的工序。

7.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，至少包含如下工序：

在绝缘基板上形成半导体图案的工序；

在所述绝缘基板之上与所述半导体图案之上，形成包含列布线、源极连接布线、源极电极、漏极电极、漏极连接布线以及漏极焊盘在内的电极的工序；

在所述绝缘基板、所述半导体图案、所述列布线、所述源极连接布线、所述源极电极、所述漏极电极、所述漏极连接布线以及所述漏极焊盘之上形成栅极绝缘膜的工序；

在所述栅极绝缘膜之上形成包含栅极电极以及行布线在内的电极的工序；

在所述栅极绝缘膜之上、所述栅极电极以及所述行布线之上形成层间绝缘膜的工序；

在所述层间绝缘膜之上形成电容器电极以及电容器布线的工序；

在所述层间绝缘膜、所述电容器电极及所述电容器布线之上形成电容器绝缘膜的工序；

在所述漏极焊盘之上的所述电容器绝缘膜、所述层间绝缘膜以及所述栅极绝缘膜中，开设漏极连接用开口部的工序；

在所述电容器绝缘膜之上且在所述漏极连接用开口部的位置，形成与所述漏极焊盘连接的下像素电极的工序；

在所述电容器绝缘膜以及所述下像素电极之上，形成在一部分具有开口部的中间绝缘膜的工序；以及

在所述中间绝缘膜之上且在所述开口部的位置，形成与所述下像素电极连接的上像素电极的工序。