[发明专利]粘合基板的方法

权利要求书

1.一种用于粘合基板的方法，包含：

执行电化学沉积(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料；

在所述第一基板和所述第二基板上执行化学机械抛光(CMP)以在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上形成粘合界面；

将所述第一基板定位在所述第二基板上，使得所述第一基板上的所述粘合界面与所述第二基板上的所述粘合界面对齐；以及

使用所述第一基板上的所述粘合界面和所述第二基板上的所述粘合界面来将所述第一基板粘合至所述第二基板。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一种材料是Sn、Ag、Pb、In、Bi或Au中的至少一者。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一基板和所述第二基板中的至少一者包含Cu或Al中的至少一者，以及Si、氧化物或聚合物中的至少一者，并且

其中所述至少一种材料被沉积在所述Cu或Al中的至少一者上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述至少一种材料被沉积在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上达到不超过5μm的厚度。

5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在执行CMP之后，所述第一基板上的所述粘合界面和所述第二基板上的所述粘合界面各自具有不超过100nm的厚度。

6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在大气压力下执行将所述第一基板粘合至所述第二基板。

7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在不超过250℃的温度下执行将所述第一基板粘合至所述第二基板。

8.一种用于粘合基板的方法，包含：

执行物理气相沉积(PVD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积第一材料；

执行电化学沉积(ECD)以在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上沉积第二材料；

在所述第一基板和所述第二基板上执行化学机械抛光(CMP)以在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上形成所述第二材料的粘合界面；

将所述第一基板定位在所述第二基板上，使得所述第一基板上的所述粘合界面与所述第二基板上的所述粘合界面对齐；以及

使用所述第一基板上的所述粘合界面和所述第二基板上的所述粘合界面来将所述第一基板粘合至所述第二基板。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一材料是Ti、Cu、和其组合中的一者，并且所述第二材料是Sn、Ag、Pb、In、Bi或Au中的一者。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一基板和所述第二基板中的至少一者包含Cu或Al中的至少一者，以及Si、氧化物或聚合物中的至少一者，并且

其中所述第一材料被沉积在所述Cu或Al中的至少一者上，并且所述第二材料被沉积在所述第一材料上。

11.如权利要求8至10中任一项所述的方法，其中所述第一材料被沉积至不超过1μm的厚度，并且其中所述第二材料被沉积至不超过5μm的厚度。

12.如权利要求8至10中任一项所述的方法，其中在执行CMP之后，在所述第一基板上的所述粘合界面和所述第一材料具有不超过100nm的组合厚度，并且在所述第二基板上的所述粘合界面和所述第一材料具有不超过100nm的组合厚度。

13.如权利要求8至10中任一项所述的方法，其中在大气压力下执行将所述第一基板粘合至所述第二基板。

14.如权利要求8至10中任一项所述的方法，其中在不超过250℃的温度下执行将所述第一基板粘合至所述第二基板。

15.一种非瞬时计算机可读存储介质，所述非瞬时计算机可读存储介质具有存储在所述非瞬时计算机可读存储介质上的指令，所述指令当由处理器执行时，执行用于粘合基板的方法，所述方法包含：

执行电化学沉积(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料；

在所述第一基板和所述第二基板上执行化学机械抛光(CMP)以在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上形成粘合界面；

将所述第一基板定位在所述第二基板上，使得所述第一基板上的所述粘合界面与所述第二基板上的所述粘合界面对齐；以及

使用所述第一基板上的所述粘合界面和所述第二基板上的所述粘合界面来将所述第一基板粘合至所述第二基板。