[发明专利]组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器

权利要求书

1.一种具有发光性组合物，其含有(1)成分、(2)成分和选自(3)成分、(4)成分及(4-1)成分中的至少一种成分，所述(2)成分中所含的卤原子的含量相对于组合物的总质量为5500质量ppm以下；

(1)成分：以A、B和X为构成成分的钙钛矿化合物

A是钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，是1价的阳离子，

X表示钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，是选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少一种阴离子，

B是钙钛矿型晶体结构中位于将A配置在顶点的六面体和将X配置在顶点的八面体的中心的成分，是金属离子，

(2)成分：含卤素化合物

(3)成分：溶剂

(4)成分：聚合性化合物

(4-1)成分：聚合物。

2.一种具有发光性组合物，其含有(1)成分、(2)成分和(10)成分，所述(2)成分中所含的卤素离子的质量与所述(10)成分的质量之比、即所述(2)成分中所含的卤素离子的质量/所述(10)成分的质量为3.0以下；

(1)成分：以A、B和X为构成成分的钙钛矿化合物

A是钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，是1价的阳离子，

X表示钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，是选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少一种阴离子，

B是钙钛矿型晶体结构中位于将A配置在顶点的六面体和将X配置在顶点的八面体的中心的成分，是金属离子，

(2)成分：含卤素化合物

(10)成分：发光性半导体材料。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其还含有(6)成分；

(6)成分：选自硅氮烷、硅氮烷改性物、下述式(C1)表示的化合物、下述式(C1)表示的化合物的改性物、下述式(C2)表示的化合物、下述式(C2)表示的化合物的改性物、下述式(A5-51)表示的化合物、下述式(A5-51)表示的化合物的改性物、下述式(A5-52)表示的化合物、下述式(A5-52)表示的化合物的改性物、硅酸钠和硅酸钠的改性物中的1种以上的化合物；

[化学式1]

式(C1)中，Y⁵表示单键、氧原子或硫原子，

当Y⁵为氧原子时，R³⁰和R³¹各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基，

Y⁵为单键或硫原子时，R³⁰表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基或碳原子数2～20的不饱和烃基，R³¹表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基或碳原子数2～20的不饱和烃基；

式(C2)中，R³⁰、R³¹和R³²各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基；

在式(C1)和式(C2)中，

R³⁰、R³¹和R³²表示的烷基、环烷基和不饱和烃基中所含的氢原子各自独立地任选被卤素原子或氨基取代或不被取代，

a为1～3的整数，

a为2或3时，存在的多个Y⁵任选相同或不同，

a为2或3时，存在的多个R³⁰任选相同或不同，

a为2或3时，存在的多个R³²任选相同或不同，

a为1或2时，存在的多个R³¹任选相同或不同；

[化学式2]

式(A5-51)和式(A5-52)中，A^C为2价烃基，Y¹⁵为氧原子或硫原子，

R¹²²和R¹²³各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基或碳原子数3～30的环烷基，R¹²⁴表示碳原子数1～20的烷基或碳原子数3～30的环烷基，R¹²⁵和R¹²⁶各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基或碳原子数3～30的环烷基，

R¹²²～R¹²⁶表示的烷基和环烷基中所含的氢原子各自独立地任选被卤素原子或氨基取代或不被取代。