[发明专利]经硼掺杂的非晶形碳硬掩模及方法

权利要求书

1.一种制备微电子装置衬底的方法，所述方法包括：

蚀刻衬底的非晶形碳硬掩模层以在所述非晶形碳硬掩模层中形成开口，其中所述衬底包括微电子装置的一或多个层及顶表面处的所述非晶形碳硬掩模层；

通过离子植入将硼植入到所述衬底的非晶形碳硬掩模层中，其中硼离子射束以相对于所述衬底的中心轴的一定角度引导朝向所述衬底；其中，在所述非晶形碳硬掩模层的厚度的上部部分处以相对较高浓度植入所述硼，且在所述厚度的下部部分处以相对较低浓度植入所述硼；及

使所述非晶形碳硬掩模层退火。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在退火之后，经硼掺杂的非晶形碳硬掩模层与尚未退火的同等经硼掺杂的非晶形碳硬掩模层的抗蚀刻性相比具有增加的抗蚀刻性。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述硼的离子植入期间使所述非晶形碳硬掩模层退火。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括在退火期间将所述衬底加热到从150到400摄氏度的范围内的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶形碳硬掩模层具有在从0.5到5微米的范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括在通过离子植入植入所述硼之前，蚀刻所述非晶形碳硬掩模层以在所述非晶形碳硬掩模层中形成开口。

7.根据权利要求6所述的方法，其包括穿过所述掩模层中的所述开口蚀刻所述衬底以在所述衬底中形成开口，所述衬底中的所述开口具有至少40:1的纵横比。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述衬底中的所述开口是通道孔。

9.根据权利要求1所述的方法，其包括：在所述非晶形碳硬掩模层上形成图案化掩模；及在通过离子植入植入所述硼之前，蚀刻所述非晶形碳硬掩模层以在所述非晶形碳硬掩模层中形成开口。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述衬底蚀刻步骤包含将所述衬底的材料暴露于氟化或全氟化气态蚀刻剂。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括在蚀刻所述衬底之后，通过氧等离子体蚀刻移除所述硬掩模层的剩余部分。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括包含多个含硅材料层的薄膜堆叠。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括多个氧化硅及氮化硅层。