[发明专利]纳米孔流动池和制造方法在审
申请号: | 201980070821.3 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN112912726A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·R·约翰逊;罗杰·奎恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G01N33/487 | 分类号: | G01N33/487;B81B1/00;B81C3/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 流动 制造 方法 | ||
1.一种形成流动池的方法,包含以下步骤:
在第一基板上形成多层堆叠结构,所述多层堆叠结构包含设置于所述第一基板上的隔膜层和设置于所述隔膜层上的材料层,所述隔膜层具有穿过所述隔膜层形成的第一开口;
图案化第二基板的表面,以在所述第二基板中形成第二开口;
将所述第二基板的图案化的所述表面结合至所述多层堆叠结构的表面;
减薄所述第一基板;和
去除减薄的所述所述第一基板和至少部分的所述材料层,以暴露所述隔膜层的相对的表面。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一基板以单晶硅形成。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述第二基板以玻璃材料形成。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述隔膜层以介电材料形成。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述第一开口具有约100nm或更小的直径,并且所述隔膜层具有约100nm或更小的厚度。
6.如权利要求5所述的方法,其中将所述第二基板的图案化的所述表面结合至所述多层堆叠结构的所述表面的步骤包括以下步骤:将所述第一开口与所述第二开口对准。
7.一种形成流动池的方法,包含以下步骤:
在第一基板上形成多层堆叠结构,所述多层堆叠结构包含插置在第一材料层与第二材料层之间的隔膜层,所述隔膜层具有穿过所述隔膜层形成的第一开口;
图案化第二基板的表面,以在所述第二基板中形成第二开口;
将所述第二基板的图案化的所述表面结合至所述多层堆叠结构的第一表面;
从所述多层堆叠结构去除所述第一基板,以暴露所述多层堆叠结构的相对于所述第一表面的第二表面;
图案化第三基板的表面,以在所述第三基板中形成第三开口;
将所述第三基板的图案化的所述表面结合至所述多层堆叠结构的所述第二表面;
将所述第二基板和所述第三基板减薄至所述第二开口和所述第三开口分别穿过所述第二基板和所述第三基板设置的地方;和
去除所述第一材料层的至少部分与所述第二材料层的至少部分,以暴露所述隔膜层的相对表面。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述第一基板以单晶硅形成,并且所述第二基板以玻璃材料形成。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述隔膜层以介电材料形成。
10.如权利要求8所述的方法,其中所述第一开口具有约100nm或更小的直径,并且所述隔膜层具有约100nm或更小的厚度。
11.如权利要求10所述的方法,其中将所述第二基板的图案化的所述表面结合至所述多层堆叠结构的所述表面的步骤包括以下步骤:将所述第一开口与所述第二开口对准。
12.一种装置,包含:
玻璃基板,具有穿过所述玻璃基板形成的开口;和
隔膜层,设置于所述玻璃基板上,所述隔膜层具有穿过所述隔膜层设置的单个纳米孔,其中所述单个纳米孔定位于所述隔膜层的一部分中,所述隔膜层的所述部分跨过穿过所述玻璃基板形成的所述开口。
13.如权利要求12所述的装置,其中所述玻璃基板以熔融二氧化硅、硼硅酸盐或以上项的组合而形成。
14.如权利要求13所述的装置,其中所述单个纳米孔具有约100nm或更小的直径。
15.如权利要求14所述的装置,其中所述隔膜层的厚度小于约100nm。
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