[发明专利]带隔离元件的结构化缝隙天线在审
申请号: | 201980070945.1 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN112930622A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | S·简恩;T·J·莫里斯;M·哈珀 | 申请(专利权)人: | 微软技术许可有限责任公司 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q5/378;H01Q13/10;H01Q21/28;H01Q1/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡利鸣;陈斌 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离 元件 结构 缝隙 天线 | ||
1.一种位于计算设备的金属外壳上的天线结构,所述天线结构包括:
第一开口缝隙辐射结构,所述第一开口缝隙辐射结构以一辐射波长进行辐射并位于所述计算设备的所述金属外壳的表面上;
第二开口缝隙辐射结构,所述第二开口缝隙辐射结构以所述辐射波长进行辐射并位于所述计算设备的所述金属外壳的所述表面上;以及
至少一个闭口缝隙辐射器元件,所述至少一个闭口缝隙辐射器元件位于所述计算设备的所述金属外壳的所述表面上的所述第一开口缝隙辐射结构和所述第二开口缝隙辐射结构之间,所述闭口缝隙辐射器元件大约为所述辐射波长的一半长度并被放置成使得所述闭口缝隙辐射器元件辐射沿所述计算设备的所述金属外壳流动的电学表面电流。
2.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述至少一个闭口缝隙辐射器元件充当闭口缝隙隔离器元件,辐射在所述第一开口缝隙辐射结构和所述第二开口缝隙辐射结构之间流动的表面电流,并减少所述第一开口缝隙辐射结构和所述第二开口缝隙辐射结构之间的耦合。
3.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述至少一个闭口缝隙辐射器元件充当第二频带辐射器元件,其中所述至少一个闭口缝隙辐射器元件电连接到所述第一开口缝隙辐射结构并且所述至少一个闭口缝隙辐射器元件以所述第一开口缝隙辐射结构的辐射波长的大约一半进行辐射。
4.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述天线结构形成多输入多输出(MIMO)天线结构。
5.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述第一开口缝隙辐射结构由第一辐射结构电容地驱动,而所述第二开口缝隙辐射结构由第二辐射结构电容地驱动。
6.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述计算设备的所述金属外壳的所述表面是所述计算设备的所述金属外壳的边缘表面。
7.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述第一开口缝隙辐射结构由第一同轴电缆来电驱动,而所述第二开口缝隙辐射结构由第二同轴电缆来电驱动。
8.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述第一开口缝隙辐射结构、所述第二开口缝隙辐射结构、和所述至少一个闭口缝隙辐射器填充有电介质材料。
9.一种电子设备,包括:
金属外壳;
第一开口缝隙辐射结构,所述第一开口缝隙辐射结构以一辐射波长进行辐射并位于所述电子设备的所述金属外壳的表面上;
第二开口缝隙辐射结构,所述第二开口缝隙辐射结构以所述辐射波长进行辐射并位于所述计算设备的所述金属外壳的所述表面上;以及
至少一个闭口缝隙辐射器元件,所述至少一个闭口缝隙辐射器元件位于所述计算设备的所述金属外壳的所述表面上的所述第一开口缝隙辐射结构和所述第二开口缝隙辐射结构之间,所述闭口缝隙辐射器元件大约为所述辐射波长的一半长度并被放置成使得所述闭口缝隙辐射器元件辐射沿所述计算设备的所述金属外壳流动的电学表面电流。
10.如权利要求9所述的电子设备,其特征在于,所述至少一个闭口缝隙辐射器元件充当闭口缝隙隔离器元件,辐射在所述第一开口缝隙辐射结构和所述第二开口缝隙辐射结构之间流动的表面电流,并减少所述第一开口缝隙辐射结构和所述第二开口缝隙辐射结构之间的耦合。
11.如权利要求9所述的电子设备,其特征在于,所述至少一个闭口缝隙辐射器元件充当第二频带辐射器元件,其中所述至少一个闭口缝隙辐射器元件电连接到所述第一开口缝隙辐射结构并且所述至少一个闭口缝隙辐射器元件以所述第一开口缝隙辐射结构的辐射波长的大约一半进行辐射。
12.如权利要求9所述的电子设备,其特征在于,所述第一开口缝隙辐射结构由第一辐射结构电容地驱动,而所述第二开口缝隙辐射结构由第二辐射结构电容地驱动。
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