[发明专利]包含具有增加阈值电压的晶体管的半导体装置及其相关方法与系统

权利要求书

1.一种晶体管，其包含：

有源控制栅极，其邻近沟道区域的相对第一侧；

阈值电压控制栅极，其邻近所述沟道区域的相对第二侧；及

电介质区域，其介于所述阈值电压控制栅极与所述沟道区域之间且介于所述有源控制栅极与所述沟道区域之间。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述阈值电压控制栅极包含一对阈值电压控制栅极且所述对中的一个阈值电压控制栅极横向邻近所述沟道区域的第一侧壁且所述对中的另一阈值电压控制栅极横向邻近所述沟道区域的第二侧壁。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述有源控制栅极包含一对有源控制栅极且所述对中的一个有源控制栅极横向邻近所述沟道区域的前表面且所述对中的另一有源控制栅极横向邻近所述沟道区域的后表面。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述阈值电压控制栅极及所述有源控制栅极基本上包围所述沟道区域。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述电介质区域使所述阈值电压控制栅极及所述有源控制栅极与所述沟道区域分离。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述电介质区域是所述阈值电压控制栅极与所述沟道区域之间的唯一材料。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包含与所述阈值电压控制栅极电连通的源极，所述源极经配置以将外部偏压施加到所述阈值电压控制栅极。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管以垂直定向配置。

9.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述阈值电压控制栅极垂直于所述有源控制栅极定向。

10.一种半导体装置，其包含：

存储器单元，所述存储器单元中的至少一个存储器单元包含至少一个垂直薄膜晶体管，所述至少一个垂直薄膜晶体管包含：

有源控制栅极，其邻近沟道区域；

阈值电压控制栅极，其邻近所述沟道区域且通过第一电介质区域与所述有源控制栅极分离；及

第二电介质区域，其介于所述阈值电压控制栅极与所述沟道区域之间；及

存储元件，其与所述至少一个垂直薄膜晶体管可操作地通信。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其进一步包含介于所述有源控制栅极与所述沟道区域之间的第三电介质区域。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包含与所述阈值电压控制栅极直接接触的源极及介于所述源极与所述沟道区域之间的第四电介质区域。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述存储器单元中的所述至少一个存储器单元包含至少两个垂直薄膜晶体管且其中在所述至少两个垂直薄膜晶体管中的邻近垂直薄膜晶体管之间共享所述阈值电压控制栅极。

14.一种系统，其包含：

存储器单元，其包含至少一个垂直薄膜晶体管及与所述至少一个垂直薄膜晶体管可操作地通信的存储元件，所述至少一个垂直薄膜晶体管包含：

有源控制栅极，其邻近沟道区域；

阈值电压控制栅极，其邻近所述沟道区域且经配置以接收外部偏压以控制所述至少一个垂直薄膜晶体管的阈值电压；及

电介质材料，其介于所述阈值电压控制栅极与所述沟道区域之间。