[发明专利]半导体基板的制造方法、镶嵌配线结构的制造方法、半导体基板和镶嵌配线结构

权利要求书

1.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，

包含：

第一工序，通过对半导体基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的凹部，所述侧面上形成有波纹；

第二工序，执行对所述凹部的所述侧面进行的亲水化处理及对所述凹部进行的脱气处理中的至少一者；以及

第三工序，在所述凹部的所述底面存在的状态下，通过进行各向异性的湿法蚀刻，去除在所述凹部的所述侧面形成的所述波纹，并使所述侧面平坦化。

2.一种镶嵌配线结构的制造方法，其特征在于，

包含：

权利要求1所述的半导体基板的制造方法中的所述第一工序、所述第二工序和所述第三工序，且在第一工序中，作为所述凹部形成沿着所述半导体基板的所述主面延伸的槽部；

第四工序，在所述第三工序之后，形成具有设置在所述槽部的内面上的第一部分和与所述第一部分一体成形并设置在所述主面上的第二部分的绝缘层；

第五工序，在所述绝缘层的所述第一部分和所述第二部分上形成金属层；

第六工序，在埋入所述槽部内的所述金属层上形成配线部；

第七工序，使所述绝缘层的所述第二部分露出，去除所述第二部分上的所述金属层和所述配线部；以及

第八工序，在所述第七工序之后，以覆盖所述绝缘层的所述第二部分、所述金属层的端部、及所述配线部的方式形成覆盖层。

3.根据权利要求2所述的镶嵌配线结构的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板的所述主面沿着(100)面，

在所述第一工序中，形成在沿着(110)面的方向上延伸的所述槽部。

4.一种半导体基板，其特征在于，

具备：设置有凹部的主面，

所述凹部具有底面、侧面和倾斜面，

所述倾斜面在所述底面和所述侧面之间与所述底面和所述侧面连接，并且以与所述底面和所述侧面形成钝角的方式相对于所述底面和所述侧面倾斜，

所述底面的面取向、所述侧面的面取向和所述倾斜面的面取向彼此不同。

5.一种镶嵌配线结构，其特征在于，

具备：权利要求4所述的半导体基板、绝缘层、金属层、配线部和覆盖层，

所述凹部是沿着所述主面延伸的槽部，

所述绝缘层具有设置在所述槽部的内面上的第一部分以及与第一部分一体成形并设置在所述主面上的第二部分，

所述金属层被设置在所述绝缘层的所述第一部分上，

所述配线部，形成在埋入所述槽部内的所述金属层上，

所述覆盖层以覆盖所述绝缘层的所述第二部分、所述金属层的端部和所述配线部的方式设置。

6.根据权利要求5所述的镶嵌配线结构，其特征在于，

所述底面是沿着(100)面的面，

所述侧面是沿着(110)面的面，

所述倾斜面是沿着(111)面的面。

7.根据权利要求5或6所述的镶嵌配线结构，其特征在于，

所述凹部具有在沿着所述主面的第一方向上延伸的第一槽部和与所述第一槽部共享所述底面且在第二方向上延伸的第二槽部，所述第二方向是沿着与所述第一方向相交的所述主面的方向，

所述第一槽部具有第一侧面，和在所述底面及所述第一侧面之间与所述底面及所述第一侧面相连接并且相对于所述底面及所述第一侧面倾斜的第一倾斜面，

所述第二槽部具有第二侧面，和在所述底面及所述第二侧面之间与所述底面及所述第二侧面相连接并且相对于所述底面及所述第二侧面倾斜的第二倾斜面，

在所述第一侧面和所述第二侧面之间、及所述第一倾斜面和所述第二倾斜面之间形成有中间面，

所述中间面与所述第一侧面、所述第二侧面、所述第一倾斜面、所述第二倾斜面及所述底面相连接，

所述中间面与所述第一侧面及所述第二侧面分别形成的角度为钝角。