[发明专利]自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器

权利要求书

1.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，包括：

第一铁磁性层；和

面向所述第一铁磁性层、且沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线，

所述自旋轨道转矩配线具有多个由原子排列而成的原子面，

多个原子面具有：由相同原子排列而成的基准面；和具有压曲部的压曲面，

所述压曲面具有：形成与所述基准面大致平行的主面的多个第一原子；和形成相对于所述主面弯曲的压曲部的1个以上的第二原子。

2.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述第二原子的原子半径为所述第一原子的原子半径的1.1倍以上或者所述第一原子的原子半径的0.9倍以下。

3.根据权利要求1或2所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

从所述第二原子的中心引至所述主面的垂线的长度为所述第一原子的原子半径的0.5倍以上1.5倍以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述第一原子的晶格间隔大于所述第二原子的直径。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述第一原子与主要构成所述自旋轨道转矩配线的原子相同。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述第一原子与主要构成所述自旋轨道转矩配线的原子不同。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述第一原子和所述第二原子的组合为选自Mo和Pd、Mo和Bi、Ru和Bi、Rh和Bi、Ag和Bi、Cd和Bi、W和Pd、W和Bi、Os和Bi、Ir和Bi、以及Au和Bi中的任一种组合。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述压曲面位于面向所述第一铁磁性层的第一面。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述自旋轨道转矩配线具有：面向所述第一铁磁性层的第一区域；和所述第一区域以外的第二区域，

所述第一区域具有所述压曲部。

10.根据权利要求9所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述第二区域包含氢化合物。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

具有多个所述压曲面。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于：

所述自旋轨道转矩配线包含选自Al、Cu、Si、Ag、Ga和Ge中的1种以上的原子。

13.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其特征在于，包括：

权利要求1～12中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件；

非磁性层，其面向所述第一铁磁性层的与所述自旋轨道转矩配线相反的一侧的面；和

第二铁磁性层，其与所述第一铁磁性层隔着所述非磁性层。

14.一种磁存储器，其特征在于：

包括多个权利要求13所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件。