[发明专利]包含与具有缩水甘油基的亚芳基化合物的聚合生成物的化学液耐性保护膜形成用组合物

权利要求书

1.一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：

通过二环氧化合物(A)与2官能以上的产质子化合物(B)的反应而获得的开环聚合物(C)、和

溶剂。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用组合物，所述开环聚合物(C)由下述式(A-1)的单元结构表示，

在式(A-1)中，Q表示通过二环氧化合物(A)的开环聚合而产生的2价有机基，T表示来源于2官能以上的产质子化合物(B)的2价有机基。

3.根据权利要求2所述的保护膜形成用组合物，在所述式(A-1)中，Q由下述式(A-2)表示，

在式(A-2)中，Ar表示2价亚芳基，n₁和n₂各自独立地表示0或1的整数。

4.根据权利要求3所述的保护膜形成用组合物，所述式(A-2)中的Ar由下述式(A-3)、下述式(A-4)和下述式(A-5)中的任一者表示，

在式(A-3)～式(A-5)中，X₁、X₂、X₃和X₄各自独立地表示碳原子数1～6的烷基，-W-表示直接键合、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C(CF₃)₂-、-CO-、-O-、-S-或-SO₂-的任一者；n₃、n₅和n₆各自独立地表示0～4的整数，n₄表示0～6的整数。

5.根据权利要求2所述的保护膜形成用组合物，在所述式(A-1)中，T由下述式(A-6)或下述式(A-7)表示，

在式(A-6)或式(A-7)中，R₁、R₂、R₃、R₄和R₅各自独立地表示氢原子、可以被取代的碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、羟基、碳原子数1～6的烷氧基、氰基或卤原子，R₂与R₄可以彼此结合而形成环；-Y₁-和-Y₂-各自独立地表示-O-、-S-、-OCO-或-COO-；Z表示直接键合或2价有机基；n₇和n₈各自独立地表示0～5的整数，n₉和n₁₀各自独立地表示0或1的整数，n₁₁表示0～4的整数。

6.根据权利要求5所述的保护膜形成用组合物，在所述式(A-6)中，Z所示的2价有机基由下述式(A-8)表示，

在式(A-8)中，-V₁-表示-O-、-S-、-S-S-、-CR₁₀＝CR₁₁-、-C(＝CR₁₂R₁₃)-或-C≡C-，R₁₀、R₁₁、R₁₂和R₁₃各自独立地表示氢原子或甲基；-V₂-表示-O-或-S-，R₈和R₉各自独立地表示氢原子、可以被取代的碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、羟基、碳原子数1～6的烷氧基、氰基或卤原子；n₁₂表示1～3的整数，n₁₃表示0～2的整数。

7.根据权利要求4所述的保护膜形成用组合物，在所述式(A-2)中，Ar由所述式(A-3)表示。

8.根据权利要求7所述的保护膜形成用组合物，所述式(A-3)的n₃为0。