[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠，所述绝缘层和所述字线层包括相对纵向边缘，所述相对纵向边缘构成将形成于所述字线层中的个别者中的个别字线的纵向轮廓的纵向形状，所述字线层包括第一材料，所述绝缘层包括与所述第一材料的组成不同的第二材料；

去除所述绝缘层的所述纵向边缘处的所述第二材料的顶部部分和底部部分以在所述第二材料中形成上部凹槽和下部凹槽；和

在所述上部凹槽和所述下部凹槽中形成导电材料，所述导电材料向上和向下突出到所述绝缘层中的个别者中且包括所述个别字线的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述个别字线形成为包括相对的横向外侧纵向边缘，所述纵向边缘个别地包括横向地延伸到所述相应个别字线中的纵向拉长的凹槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述导电材料的形成之前从所述字线层去除所有剩余的所述第一材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述顶部部分和所述底部部分的去除之后从所述字线层去除所有剩余的所述第一材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述顶部部分和所述底部部分的所述去除之后且在所述导电材料的所述形成之前从所述字线层去除所有剩余的所述第一材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述导电材料之后从所述绝缘层去除所有剩余的所述第二材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除包括蚀刻。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除包括相对于所述第二材料选择性地各向同性蚀刻所述顶部部分和所述底部部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其包括将绝缘体材料形成为在竖直紧邻的所述字线层的所述向上和向下突出的导电材料的向上突出部分与向下突出部分之间完全竖向地延伸。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘体材料的所述形成在所述个别绝缘层中形成纵向拉长的密封空隙。

11.根据权利要求1所述的方法，其包括：

将所述存储器阵列形成为包括个别存储器单元；

将沟道材料形成为竖向地延伸穿过所述绝缘层和所述字线层；和

将所述个别存储器单元形成为包括栅极区和横向地位于所述栅极区与所述沟道材料之间的存储器结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其包括将所述存储器结构形成为包括：

所述个别存储器单元的电荷阻挡区，其竖向地沿着所述个别栅极区；

所述个别存储器单元的电荷存储材料，其竖向地沿着所述电荷阻挡区中的个别者；和

绝缘电荷传递材料，其横向地位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。