[发明专利]确定图案化工艺的感兴趣参数的值的方法、器件制造方法在审

专利信息
申请号: 201980071940.0 申请日: 2019-10-10
公开(公告)号: CN112997118A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: P·沃纳尔;H·D·波斯;H·J·H·斯米尔德;M·哈吉阿玛迪;L·J·马赫特;K·H·W·范登伯斯;S·索科洛夫;L·T·库内曼 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G01N21/47;H01L21/66
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 确定 图案 化工 感兴趣 参数 方法 器件 制造
【权利要求书】:

1.一种确定图案化工艺的感兴趣参数的值的方法,包括:

获取多个校准数据单元,每个校准数据单元表示在计量过程中从相应目标散射的检测辐射,所述目标包括使用所述图案化工艺在衬底上形成的结构;

其中所述校准数据单元中的至少两个校准数据单元中的每个校准数据单元表示在所述计量过程中使用不同相应偏振设置而获取的检测辐射,每个偏振设置限定所述计量过程的入射辐射的偏振属性和所述计量过程的检测辐射的偏振属性;

使用所述校准数据单元来获取关于所述计量过程的校准信息;

获取测量数据单元,所述测量数据单元表示从另外的目标散射的检测辐射,所述另外的目标包括使用所述图案化工艺在所述衬底上或在另外的衬底上形成的结构;以及

使用所述测量数据单元和所获取的所述校准信息来确定所述感兴趣参数的所述值。

2.根据权利要求1所述的方法,其中:

用于获取所述校准数据单元的所述不同偏振设置至少包括第一偏振设置和第二偏振设置;并且

所述第一偏振设置的所述入射辐射与所述第二偏振设置的所述入射辐射不同地偏振。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一偏振设置的所述入射辐射与所述第二偏振设置的所述入射辐射正交地偏振。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其中所述第一偏振设置的所述检测辐射与所述第二偏振设置的所述检测辐射不同地偏振。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一偏振设置的所述检测辐射与所述第二偏振设置的所述检测辐射正交地偏振。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法,其中:

使用一对校准数据单元来获取校准信息单元;

所述一对校准数据单元中的第一校准数据单元是使用所述第一偏振设置在所述衬底处于参考角位置的情况下被获取的;以及

所述一对校准数据单元中的第二校准数据单元是使用所述第二偏振设置在所述衬底通过预定角度旋转离开所述参考角位置的情况下被获取的。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述预定角度等于所述第一偏振设置的入射辐射的偏振方向与所述第二偏振设置的入射辐射的偏振方向之间的角度。

8.根据权利要求6或7所述的方法,其中所述预定角度等于所述第一偏振设置的检测辐射的偏振方向与所述第二偏振设置的检测辐射的偏振方向之间的角度。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法,其中所述预定角度等于90度。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法,其中针对多个不同参考角位置中的每个参考角位置获取校准信息单元。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述不同参考角位置包括彼此分离180度的至少两个角位置。

12.根据权利要求6至11中任一项所述的方法,其中:

所述校准信息单元中的至少一个子集包括针对多对校准数据单元中的每对校准数据单元的校准信息单元,多对校准数据单元中的每一对是使用周期性结构而被获取的,所述周期性结构具有相对于每个其他对不同的相应偏差;以及

每个偏差表示在所述周期性结构的不同层之间有意施加的标称偏移。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法,其中所述校准信息的所述获取包括对所述校准信息单元中的两个或更多个校准信息单元求平均。

14.根据权利要求6至13中任一项所述的方法,其中:

针对所述目标的多个不同取向中的每个取向,获取校准数据单元;以及

针对所述不同取向中的每个取向,获取至少一个单独的校准信息单元。

15.一种器件制造方法,包括:

使用图案化工艺在衬底上形成结构,其中所述图案化工艺形成光刻制造工艺的一部分;

执行根据任一前述权利要求所述的方法以确定所述图案化工艺的感兴趣参数的值;以及

基于所述感兴趣参数的所确定的值来调整所述图案化工艺。

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