[发明专利]在硬陶瓷涂层中制造纳米脊的方法

说明书

一种用于在光刻工艺中使用的减少物体对表面的粘附的方法，该方法包括在控制计算机处接收用于被配置为对表面修改的工具的指令，以及基于在控制计算机处接收的指令以确定的方式形成具有沟和脊的修改表面，其中，脊通过减小修改表面的接触表面积来减少粘附。另一装置包括修改表面，修改表面包括形成减小的接触表面积以减少物体对修改表面的粘附的沟和脊，脊具有弹性性质，当多个脊弹性变形时，弹性性质导致减小的接触表面积增加。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月5日提交的美国临时专利申请号62/755,786的优先权，该申请通过引用将其全部并入本文。

背景技术

光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案化设备(例如，掩模)可以包含或提供对应于IC的单个层的图案(“设计布局”)，并且该图案可以由诸如通过图案化设备上的图案照射目标部分的方法，转移到已经涂覆有辐射敏感材料层(“抗蚀剂”)的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，图案被光刻投影装置一次一个目标部分地依次转移到这些目标部分。在一种类型的光刻投影装置中，将整个图案化设备上的图案一次转移到一个目标部分上；这种装置也可以称为步进器。在可选装置中，步进扫描装置可以使投影光束在给定参考方向(“扫描”方向)上扫描图案化设备，同时平行或反平行于该参考方向同步移动衬底。图案化设备上的图案的不同部分被逐渐地转移到一个目标部分。由于通常光刻投影装置将具有减小比M(例如4)，因此衬底移动的速度F将是投影光束扫描图案化设备的速度F的1/M倍。关于光刻装置的更多信息可以在例如US 6,046,792中找到，该US 6,046,792通过引用并入本文。

在将图案从图案化设备转移到衬底之前，衬底可以经历各种过程，例如涂底、抗蚀剂涂覆和软烘烤。曝光后，衬底可以经受其它过程(“曝光后过程”)，例如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和对转移图案的测量/检查。这一系列过程被用作制作器件(例如IC)的单个层的基础。然后，衬底可以经历各种工艺，例如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些都旨在完成设备的单个层。如果在器件中需要若干层，则对每一层重复整个过程或其变体。最终，器件将存在于衬底上的每个目标部分中。然后通过诸如切割或锯切的技术将这些器件彼此分离，从而将各个器件安装在载体上、连接到管脚上等。

因此，制造诸如半导体器件的器件通常涉及使用多个制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理这样的层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制造多个器件，然后将其分离成单独的器件。这种器件制造工艺可以被认为是图案化工艺。图案化工艺包括图案化步骤，例如使用光刻装置中的图案化设备的光学和/或纳米压印光刻，以将图案化设备上的图案转移到衬底上，并且通常，但可选地，包括一个或多个相关的图案化处理步骤，例如通过显影装置进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具烘烤衬底、使用蚀刻装置使用图案进行蚀刻等。

如上所述，光刻是诸如IC的设备的制造中的中心步骤，其中在衬底上形成的图案定义了诸如微处理器、存储器芯片等的设备的功能元件。类似的光刻技术也用于平板显示器、微机电系统(MEMS)和其它设备的形成。

随着半导体制造工艺的不断推进，功能性元件的尺寸不断减小，同时每个器件的功能性元件(例如晶体管)的数量在数十年间一直保持稳定增长，这遵循了被称为“摩尔定律”的趋势。在当前的技术水平下，使用光刻投影装置制造设备的层，光刻投影装置使用来自深紫外照明源的照明将设计布局投影到衬底上，从而创建尺寸远低于100纳米的单个功能元件，即小于来自照明源(例如，193纳米照明源)的辐射波长的一半。