[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 201980072017.9 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN112997289A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 武知圭;高桥朋宏;佐佐木光敏;秋山刚志 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;沈静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明抑制基板的旋转。在配置于基板处理装置的内槽(501)的处理位置处的升降机(13)的保持棒(132)上设有保持槽(1321),相对于由该保持槽从下方保持的基板(W)设有从上方进行保持的保持部(52a)。
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等基板进行蚀刻处理和/或清洗处理的基板处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,通过使半导体晶片等基板浸渍于处理槽内而对该基板半导体实施蚀刻处理和/或清洗处理。作为这种处理槽,已知一种在处理槽底部的两侧具备使处理液朝向处理槽的底面中央喷出的喷出管并在各喷出管之间具备从处理槽的底部供给气泡的多个气泡供给管的结构(例如参照专利文献1)。
在这种处理槽内还设有用于使基板浸渍于所贮存的处理液中的升降机。升降机通过三根保持棒将多个基板一并保持为立起姿势。另外,升降机以能够沿上下方向及水平方向移动的方式设置,能够使所保持的多个基板在浸渍于处理槽内的处理液中的处理位置与从处理液中拉到上方的交接位置之间升降,并使其向相邻的处理槽移动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第6356727号公报
发明内容
当对基板实施处理时,处理液和气泡的从底部向上方的流动对由保持棒保持且浸渍于处理槽内的基板起作用。在该作用下,有时基板沿周向旋转。但是,由于基板的旋转对于由升降机保持的多个基板而言并不总是同样地发生,所以有处理效果产生偏差之虞。
因此,公开技术的一个方面以抑制基板发生的旋转为课题。
公开技术的一个方面通过如下所述的基板处理装置举例说明。
本基板处理装置的特征在于,具备:
槽,其贮存处理基板的处理液,并使该基板浸渍于处理液中;和
保持部件,其将所述基板以立起姿势进行保持,并以相对于所述槽能够在所述基板的交接位置与处理位置之间升降的方式设置,
所述保持部件具有从下方保持所述基板的保持槽,
在所述槽设有保持部,该保持部在所述保持部件于所述处理位置保持着所述基板的状态下,在与所述保持槽相比的上方、且在包含所述基板的表面的法线的铅垂方向上的假想的水平方向的两侧位置处与所述基板抵接,抑制所述基板的旋转。
根据这样的发明,当在基板被浸渍于处理液中的处理位置上从槽的底部向基板供给了液体和/或气泡的上升流(upstream)的情况下,能够通过与保持槽相比在上方与基板抵接的保持部来抑制下方被保持部件的保持槽保持的基板发生旋转。
另外,本发明也可以是,
所述保持槽及所述保持部以与保持并排列于所述保持部件的多个所述基板各自对应的方式沿所述排列方向设置,
沿所述排列方向设置的多个保持部的相位设定为,相对于从沿所述排列方向设置的多个所述保持槽的相位以相邻的该保持槽之间的间距的二分之一偏离的相位而进一步偏离。
另外,在本发明中也可以是,
所述保持部设于与从由所述保持部件保持的所述基板的中心穿过的水平面相比靠下方的位置。
另外,在本发明中也可以是,
所述保持槽在与包含所述基板的法线的铅垂面平行的截面中的形状是楔形。
另外,在本发明中也可以是,
所述保持槽在与包含所述基板的法线的铅垂面平行的截面中的形状是与该基板的晶边部在所述截面中的形状一致的形状。
另外,在本发明中也可以是,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造